Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Klimov, E. A."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-34 z 34
    Tytuł:
    X-ray analysis of multilayer InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT heterostructures with InAs nanoinsert in quantum well.
    Autorzy:
    Blagov, A.
    Galiev, G.
    Imamov, R.
    Klimov, E.
    Kondratev, O.
    Pisarevskii, Yu.
    Prosekov, P.
    Pushkarev, S.
    Seregin, A.
    Koval'chuk, M.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM aluminum arsenide
    INDIUM gallium arsenide
    MODULATION-doped field-effect transistors
    HETEROSTRUCTURES
    X-rays
    QUANTUM wells
    Źródło:
    Crystallography Reports; May2017, Vol. 62 Issue 3, p355-363, 9p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Photoluminescence properties of modulation-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasil'evskii, I.
    Klimov, E.
    Klochkov, A.
    Lavruhin, D.
    Pushkarev, S.
    Maltsev, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM aluminum arsenide
    PHOTOLUMINESCENCE
    DOPING agents (Chemistry)
    QUANTUM wells
    HETEROSTRUCTURES
    NANOTECHNOLOGY
    Źródło:
    Semiconductors; Sep2015, Vol. 49 Issue 9, p1207-1217, 11p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasil'evskii, I.
    Klimov, E.
    Klochkov, A.
    Lavruhin, D.
    Pushkarev, S.
    Maltsev, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PHOTOLUMINESCENCE
    HETEROSTRUCTURES
    FIELD effect transistor switches
    INDIUM gallium arsenide
    PHOTONS
    QUANTUM electronics
    Źródło:
    Semiconductors; Feb2015, Vol. 49 Issue 2, p234-241, 8p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Structural and electrical properties of InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT heterostructures on InP substrates with InAs inserts in quantum well.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasiliev, A.
    Imamov, R.
    Klimov, E.
    Maltsev, P.
    Pushkarev, S.
    Presniakov, M.
    Trunkin, I.
    Pokaż więcej
    Temat:
    CRYSTAL structure
    ELECTRIC properties of indium aluminum arsenide
    ELECTRIC properties of indium gallium arsenide
    HETEROSTRUCTURES
    INDIUM phosphide
    INDIUM arsenide
    QUANTUM wells
    Źródło:
    Crystallography Reports; Nov2014, Vol. 59 Issue 6, p900-907, 8p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Electrophysical characteristics and structural parameters of metamorphic HEMT nanoheterostructures InAlAs/InGaAs/InAlAs containing superlattices with different numbers of periods in the metamorphic buffer.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Pushkarev, S.
    Orekhov, A.
    Galiev, R.
    Klimov, E.
    Maltsev, P.
    Imamov, R.
    Pokaż więcej
    Temat:
    MODULATION-doped field-effect transistors
    HETEROSTRUCTURES
    SUPERLATTICES
    GALLIUM arsenide
    EPITAXY
    SUBSTRATES (Materials science)
    CRYSTAL structure
    Źródło:
    Crystallography Reports; May2014, Vol. 59 Issue 3, p425-429, 5p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Pushkarev, S.
    Vasil'evskii, I.
    Klimov, E.
    Imamov, R.
    Pokaż więcej
    Temat:
    GALLIUM arsenide
    SUBSTRATES (Materials science)
    DEFORMATIONS (Mechanics)
    ELASTICITY
    ELECTRONIC structure
    HIGH electron mobility transistor circuits
    HETEROSTRUCTURES
    Źródło:
    Semiconductors; Jul2013, Vol. 47 Issue 7, p997-1002, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Pushkarev, S.
    Vasil'evskii, I.
    Zhigalina, O.
    Klimov, E.
    Zhigalina, V.
    Imamov, R.
    Pokaż więcej
    Temat:
    HETEROSTRUCTURES
    TRANSMISSION electron microscopy
    SUPERLATTICES
    MOLECULAR beam epitaxy
    CRYSTAL structure
    ATOMIC structure
    ALUMINUM arsenide
    Źródło:
    Semiconductors; Apr2013, Vol. 47 Issue 4, p532-537, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts.
    Autorzy:
    Šilenas, A.
    Požela, Yu.
    Požela, K.
    Jucienė, V.
    Vasil'evskii, I.
    Galiev, G.
    Pushkarev, S.
    Klimov, E.
    Pokaż więcej
    Temat:
    DOPED semiconductors
    INDIUM aluminum arsenide
    HETEROSTRUCTURES
    ELECTRON mobility
    QUANTUM wells
    DOPING agents (Chemistry)
    ELECTRIC fields
    Źródło:
    Semiconductors; Mar2013, Vol. 47 Issue 3, p372-375, 4p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Electron mobility and drift velocity in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures.
    Autorzy:
    Vasil'evskii, I.
    Galiev, G.
    Klimov, E.
    Požela, K.
    Požela, J.
    Jucienė, V.
    Sužiedėlis, A.
    Žurauskienė, N.
    Keršulis, S.
    Stankevič, V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    ELECTRON mobility
    SEMICONDUCTOR doping
    GALLIUM arsenide
    HETEROSTRUCTURES
    QUANTUM wells
    CHARGE exchange
    TEMPERATURE effect
    Źródło:
    Semiconductors; Sep2011, Vol. 45 Issue 9, p1169-1172, 4p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Structural and electrical properties of quantum wells with nanoscale InAs inserts in InAlAs/InGaAs heterostructures on InP substrates.
    Autorzy:
    Vasil'ev, A.
    Vasil'evskii, I.
    Galiev, G.
    Imamov, R.
    Klimov, E.
    Kovalchuk, M.
    Ponomarev, D.
    Roddatis, V.
    Subbotin, I.
    Pokaż więcej
    Temat:
    MOLECULAR structure
    ELECTRIC properties of crystals
    QUANTUM wells
    NANOSTRUCTURED materials
    ARSENIDES
    HETEROSTRUCTURES
    INDIUM phosphide
    THICKNESS measurement
    Źródło:
    Crystallography Reports; Mar2011, Vol. 56 Issue 2, p298-309, 12p, 8 Black and White Photographs, 1 Diagram, 4 Charts, 2 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Erratum to: 'Structural and electrical properties of InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT heterostructures on InP substrates with InAs inserts in quantum well'.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasiliev, A.
    Imamov, R.
    Klimov, E.
    Maltsev, P.
    Pushkarev, S.
    Presniakov, M.
    Trunkin, I.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PERIODICAL articles
    INDIUM aluminum arsenide
    ELECTRIC properties of metals
    HETEROSTRUCTURES
    SUBSTRATES (Materials science)
    QUANTUM wells
    Źródło:
    Crystallography Reports; May2015, Vol. 60 Issue 3, p449-449, 1p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-34 z 34

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies