Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Klimov, E. A."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Klochkov, A.
    Vasil'evskii, I.
    Klimov, E.
    Pushkarev, S.
    Vinichenko, A.
    Khabibullin, R.
    Maltsev, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM gallium arsenide
    INDIUM aluminum arsenide
    QUANTUM wells
    METALS -- Electron theory
    DOPING agents (Chemistry)
    INDIUM phosphide
    Źródło:
    Semiconductors; Jun2017, Vol. 51 Issue 6, p760-765, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    X-ray analysis of multilayer InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT heterostructures with InAs nanoinsert in quantum well.
    Autorzy:
    Blagov, A.
    Galiev, G.
    Imamov, R.
    Klimov, E.
    Kondratev, O.
    Pisarevskii, Yu.
    Prosekov, P.
    Pushkarev, S.
    Seregin, A.
    Koval'chuk, M.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM aluminum arsenide
    INDIUM gallium arsenide
    MODULATION-doped field-effect transistors
    HETEROSTRUCTURES
    X-rays
    QUANTUM wells
    Źródło:
    Crystallography Reports; May2017, Vol. 62 Issue 3, p355-363, 9p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content.
    Autorzy:
    Yuzeeva, N.
    Sorokoumova, A.
    Lunin, R.
    Oveshnikov, L.
    Galiev, G.
    Klimov, E.
    Lavruchin, D.
    Kulbachinskii, V.
    Pokaż więcej
    Temat:
    MODULATION-doped field-effect transistors
    ELECTRON mobility
    INDIUM gallium arsenide
    INDIUM aluminum arsenide
    CRYSTAL structure
    MOLECULAR beam epitaxy
    Źródło:
    Journal of Low Temperature Physics; Dec2016, Vol. 185 Issue 5/6, p701-706, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Photoluminescence properties of modulation-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasil'evskii, I.
    Klimov, E.
    Klochkov, A.
    Lavruhin, D.
    Pushkarev, S.
    Maltsev, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM aluminum arsenide
    PHOTOLUMINESCENCE
    DOPING agents (Chemistry)
    QUANTUM wells
    HETEROSTRUCTURES
    NANOTECHNOLOGY
    Źródło:
    Semiconductors; Sep2015, Vol. 49 Issue 9, p1207-1217, 11p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs structures on GaAs substrates.
    Autorzy:
    Kulbachinskii, V.
    Oveshnikov, L.
    Lunin, R.
    Yuzeeva, N.
    Galiev, G.
    Klimov, E.
    Pushkarev, S.
    Maltsev, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM aluminum arsenide
    BUFFER layers
    CRYSTAL orientation
    ELECTRON mobility
    INDIUM gallium arsenide
    CRYSTAL structure
    GALLIUM arsenide
    ELECTRIC properties of metals
    Źródło:
    Semiconductors; Jul2015, Vol. 49 Issue 7, p921-929, 9p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Structural and electrophysical properties of InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP HEMT nanoheterostructures with different combinations of InAs and GaAs inserts in quantum well.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasiliev, A.
    Vasil'evskii, I.
    Imamov, R.
    Klimov, E.
    Klochkov, A.
    Lavruhin, D.
    Maltsev, P.
    Pushkarev, S.
    Trunkin, I.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM aluminum arsenide
    CRYSTAL structure
    MODULATION-doped field-effect transistors
    HETEROSTRUCTURES
    GALLIUM arsenide
    QUANTUM wells
    Źródło:
    Crystallography Reports; May2015, Vol. 60 Issue 3, p397-405, 9p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Application of photoluminescence spectroscopy to studies of InAlAs/InGaAs/GaAs metamorphic nanoheterostructures.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasil'evskii, I.
    Klimov, E.
    Klochkov, A.
    Lavruhin, D.
    Pushkarev, S.
    Maltsev, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PHOTOLUMINESCENCE
    INDIUM aluminum arsenide
    INDIUM gallium arsenide
    HETEROSTRUCTURES
    NANOSTRUCTURES
    SURFACE morphology
    SURFACE defects
    Źródło:
    Semiconductors; Jul2014, Vol. 48 Issue 7, p883-890, 8p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT nanoheterostructures.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Pushkarev, S.
    Vasil'evskii, I.
    Klimov, E.
    Klochkov, A.
    Maltsev, P.
    Pokaż więcej
    Temat:
    INDIUM aluminum arsenide
    SUBSTRATES (Materials science)
    SURFACE morphology
    INDIUM gallium arsenide
    MODULATION-doped field-effect transistors
    NANOSTRUCTURES
    HETEROSTRUCTURES
    Źródło:
    Semiconductors; Jan2014, Vol. 48 Issue 1, p63-68, 6p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts.
    Autorzy:
    Šilenas, A.
    Požela, Yu.
    Požela, K.
    Jucienė, V.
    Vasil'evskii, I.
    Galiev, G.
    Pushkarev, S.
    Klimov, E.
    Pokaż więcej
    Temat:
    DOPED semiconductors
    INDIUM aluminum arsenide
    HETEROSTRUCTURES
    ELECTRON mobility
    QUANTUM wells
    DOPING agents (Chemistry)
    ELECTRIC fields
    Źródło:
    Semiconductors; Mar2013, Vol. 47 Issue 3, p372-375, 4p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Erratum to: 'Structural and electrical properties of InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT heterostructures on InP substrates with InAs inserts in quantum well'.
    Autorzy:
    Galiev, G.
    Vasiliev, A.
    Imamov, R.
    Klimov, E.
    Maltsev, P.
    Pushkarev, S.
    Presniakov, M.
    Trunkin, I.
    Pokaż więcej
    Temat:
    PERIODICAL articles
    INDIUM aluminum arsenide
    ELECTRIC properties of metals
    HETEROSTRUCTURES
    SUBSTRATES (Materials science)
    QUANTUM wells
    Źródło:
    Crystallography Reports; May2015, Vol. 60 Issue 3, p449-449, 1p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies