Autor: "Klochkov, A. N." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Silicon-Doped Epitaxial Films Grown on GaAs(110) Substrates: the Surface Morphology, Electrical Characteristics, and Photoluminescence Spectra
Autorzy :: Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Zaytsev, A. A.
Klochkov, A. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(11):1417-1423
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Study of the Surface Morphology, Electrophysical Characteristics, and Photoluminescence Spectra of GaAs Epitaxial Films on GaAs(110) Substrates
Autorzy :: Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Zaitsev, A. A.
Pushkarev, S. S.
Klochkov, A. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Optics and Spectroscopy. 128(7):877-884
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: THz Radiation of Photoconductive Antennas based on {LT-GaAa/GaAa:Si} Superlattice Structures
Autorzy :: Klochkov, A. N.
Klimov, E. A.
Solyankin, P. M.
Konnikova, M. R.
Vasil’evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Shkurinov, A. P.Aff2, Aff3
Galiev, G. B.; Pokaż więcej
Źródło :: Optics and Spectroscopy. 128(7):1010-1017
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates
Autorzy :: Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.Aff2, Aff3
Vasil’evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Trunkin, I. N.
Pushkarev, S. S.Aff1, IDS1063774520030104_cor8; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. 65(3):496-501
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Pulsed terahertz radiation from a double-barrier resonant tunneling diode biased into self-oscillation regime.
Autorzy :: Rasulova, G. K.
Pentin, I. V.
Vakhtomin, Yu. B.
Smirnov, K. V.
Khabibullin, R. A.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Goltsman, G. N.; Pokaż więcej
Temat :: TUNNEL diodes
SUBMILLIMETER waves
RESONANT tunneling
PHOTON emission
BOLOMETERS
ELECTRON tunneling
Źródło :: Journal of Applied Physics; 12/14/2020, Vol. 182 Issue 22, p1-11, 11p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: New Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111)A Substrate
Autorzy :: Galiev, G. B.
Trunkin, I. N.
Vasiliev, A. L.Aff2, Aff3
Vasil’evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. 64(2):205-211
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Electrical and Photoluminescence Studies of {LT-GaAs/GaAs:Si} Superlattices Grown by MBE on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates
Autorzy :: Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Kopylov, V. B.
Pushkarev, S. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 53(2):246-254
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Ultrafast Dynamics of Photoexcited Charge Carriers in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As Superlattices under Femtosecond Laser Excitation
Autorzy :: Ponomarev, D. S.
Khabibullin, R. A.
Klochkov, A. N.
Yachmenev, A. E.
Bugaev, A. S.
Khusyainov, D. I.
Buriakov, A. M.
Bilyk, V. P.
Mishina, E. D.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(7):864-869
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Model of Wave Movement in Biological Systems
Autorzy :: Klochkov, B. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Acoustical Physics. 64(3):375-378
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Photoluminescence Studies of Si-Doped Epitaxial GaAs Films Grown on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates at Lowered Temperatures
Autorzy :: Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Pushkarev, S. S.
Maltsev, P. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(3):376-382
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Low-Temperature epitaxial growth of InGaAs films on InP(100) and InP(411)A substrates
Autorzy :: Galiev, G. B.
Klimova, E. A.
Pushkarev, S. S.
Klochkov, A. N.
Trunkin, I. N.
Vasiliev, A. L.
Maltsev, P. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. July 2017 62(4):589-596
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates
Autorzy :: Galiev, G. B.
Klochkov, A. N.
Vasil’evskii, I. S.
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Vinichenko, A. N.
Khabibullin, R. A.
Maltsev, P. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. June 2017 51(6):760-765
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme
Autorzy :: Khabibullin, R. A.
Shchavruk, N. V.
Klochkov, A. N.
Glinskiy, I. A.
Zenchenko, N. V.
Ponomarev, D. S.
Maltsev, P. P.
Zaycev, A. A.
Zubov, F. I.
Zhukov, A. E.
Cirlin, G. E.
Alferov, Zh. I.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. April 2017 51(4):514-519
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates
Autorzy :: Galiev, G. B.
Grekhov, M. M.
Kitaeva, G. Kh.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Kolentsova, O. S.
Kornienko, V. V.
Kuznetsov, K. A.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. March 2017 51(3):310-317
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Threshold properties of free electron lasers without inversion
Autorzy :: Klochkov, D. N.
Gevorgyan, A. H.
Izmailian, N. Sh.
Oganesyan, K. B.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences). July 2016 51(3):237-243
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Photoluminescence properties of modulation-doped In x Al1–x As/In y Ga1–y As/In x Al1–x As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well
Autorzy :: Galiev, G. B.
Vasil’evskii, I. S.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Lavruhin, D. V.
Pushkarev, S. S.
Maltsev, P. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. September 2015 49(9):1207-1217
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Wave effects in collapsible biovessels
Autorzy :: Klochkov, B. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Applied Mechanics and Technical Physics. May 2015 56(3):391-398
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Structural and electrophysical properties of In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InP HEMT nanoheterostructures with different combinations of InAs and GaAs inserts in quantum well
Autorzy :: Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.
Vasil’evskii, I. S.
Imamov, R. M.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Lavruhin, D. V.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.
Trunkin, I. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Crystallography Reports. May 2015 60(3):397-405
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well
Autorzy :: Galiev, G. B.
Vasil’evskii, I. S.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Lavruhin, D. V.
Pushkarev, S. S.
Maltsev, P. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2015 49(2):234-241
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Intrathecal Baclofen Therapy in Russia: National Register, the Effect of One-Year Usage.
Autorzy :: Filatov, E. V.
Biktimirov, A. R.
Simatov, A. I.
Tomsky, A. A.
Ushakov, A. I.
Timershin, A. G.
Krestchenok, D. V.
Levin, M. S.
Nesterin, K. V.
Kirsanova, O. N.
Posidelova, E. O.
Vtorov, A. V.
Klochkov, M. N.
Polyakov, A. E.
Semkin, K. V.
Abla, E. R. Siid
Morozov, I. N.; Pokaż więcej
Temat :: BACLOFEN
DOPING in sports
SPASTICITY
DRUGS
TREATMENT effectiveness
ADVERSE health care events
Źródło :: Medical Technologies in Medicine / Sovremennye Tehnologii v Medicine; 2020, Vol. 12 Issue 1, p79-83, 5p
Terminy geograficzne :: RUSSIA
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Klochkov, A. N."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język