Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Klochkov, A. N."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-8 z 8
Tytuł:
Silicon-Doped Epitaxial Films Grown on GaAs(110) Substrates: the Surface Morphology, Electrical Characteristics, and Photoluminescence Spectra.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Pushkarev, S. S.
Zaytsev, A. A.
Klochkov, A. N.
Pokaż więcej
Temat:
MOLECULAR beam epitaxy
SURFACE morphology
PHOTOLUMINESCENCE
AUDITING standards
POINT defects
EPITAXY
Źródło:
Semiconductors; Nov2020, Vol. 54 Issue 11, p1417-1423, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.
Vasil'evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Trunkin, I. N.
Pushkarev, S. S.
Pokaż więcej
Temat:
SUPERLATTICES
TRANSMISSION electron microscopy
MOLECULAR beam epitaxy
EPITAXY
Źródło:
Crystallography Reports; May2020, Vol. 65 Issue 3, p496-501, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electrical and Photoluminescence Studies of {LT-GaAs/GaAs:Si} Superlattices Grown by MBE on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Kopylov, V. B.
Pushkarev, S. S.
Pokaż więcej
Temat:
MOLECULAR beam epitaxy
AUDITING standards
PHOTOLUMINESCENCE
INTERFACIAL roughness
POINT defects
LOW temperatures
SUPERLATTICES
Źródło:
Semiconductors; Feb2019, Vol. 53 Issue 2, p246-254, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Ultrafast Dynamics of Photoexcited Charge Carriers in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As Superlattices under Femtosecond Laser Excitation.
Autorzy:
Ponomarev, D. S.
Khabibullin, R. A.
Klochkov, A. N.
Yachmenev, A. E.
Bugaev, A. S.
Khusyainov, D. I.
Buriakov, A. M.
Bilyk, V. P.
Mishina, E. D.
Pokaż więcej
Temat:
SUPERLATTICES
FEMTOSECOND lasers
CHARGE carriers
MOLECULAR beam epitaxy
GALLIUM arsenide
COMPUTER simulation
Źródło:
Semiconductors; Jul2018, Vol. 52 Issue 7, p864-869, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electrical and structural characteristics of metamorphic In0.38Al0.62As/In0.37Ga0.63As/In0.38Al0.62As HEMT nanoheterostructures.
Autorzy:
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Maltsev, P. P.
Pushkarev, S. S.
Zhigalina, O. M.
Imamov, R. M.
Kuskova, A. N.
Khmelenin, D. N.
Pokaż więcej
Temat:
MODULATION-doped field-effect transistors
HETEROSTRUCTURES
GALLIUM arsenide transistors
MOLECULAR beam epitaxy
ELECTRON gas
WURTZITE
NANOSTRUCTURED materials
Źródło:
Crystallography Reports; Nov2013, Vol. 58 Issue 6, p914-919, 6p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-8 z 8

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies