Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Kneissl, Michael"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł :
Preparation and structure of ultra-thin GaN (0001) layers on In0.11Ga0.89N-single quantum wells
Autorzy :
Alamé, Sabine
Quezada, Andrea Navarro
Skuridina, Daria
Reich, Christoph
Henning, Dimitri
Frentrup, Martin
Wernicke, Tim
Koslow, Ingrid
Kneissl, Michael
Esser, Norbert
Vogt, Patrick
Pokaż więcej
Temat :
Mechanical Engineering
Materials Science(all)
Mechanics of Materials
Condensed Matter Physics
Źródło :
Materials Science in Semiconductor Processing. 55
Tytuł :
Index-Antiguiding in Narrow-Ridge GaN-Based Laser Diodes Investigated by Measurements of the Current-Dependent Gain and Index Spectra and by Self-Consistent Simulation
Autorzy :
Redaelli, Luca
Wenzel, Hans
Piprek, Joachim
Weig, Thomas
Einfeldt, Sven
Martens, Martin
Luekens, Gerrit
Schwarz, Ulrich T.
Kneissl, Michael
Pokaż więcej
Temat :
Index Change
Diode Lasers
Simulation
Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics
Physics::Optics
Index-Antiguiding
Gallium Nitride
Lasing Threshold
Polarization
[PHYS]Physics [physics]
GaAs
Condensed Matter - Materials Science
Linewidth Enhancement Factor
Źródło :
IEEE Journal of Quantum Electronics, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 51 (8), pp.2000506. ⟨10.1109/jqe.2015.2444662⟩
IEEE Journal of Quantum Electronics
Tytuł :
Wachstumskern Berlin WideBaSe : Verbundprojekt 2: 'Bestrahlungsfester AIGaN-Photodetektor für den UV-C und VUV-Spektralbereich' ; Teilprojekt 2.4: 'Bauelementmodellierung und Charakterisierung von GaAIN Photodetektoren' : Projekt-Abschlussbericht : Teilprojektlaufzeit: 01.07.2010 bis 30.06.2013
Autorzy :
Bellmann, Konrad
Kneissl, Michael
Pokaż więcej
Tytuł :
Wachstumskern Berlin WideBaSe : Verbundprojekt 1: 'Leistungs- LED 300-350nm' ; Teilprojekt 1.4: 'Simulation und Charakterisisierung von UV LEDs im Wellenlängenbereich von 300 - 350 nm' : Projekt-Abschlussbericht : Teilprojektlaufzeit: 01.07.2010 bis 30.06.2013
Autorzy :
Bellmann, Konrad
Kneissl, Michael
Pokaż więcej
Tytuł :
Wachstumskern Berlin WideBase : Verbundprojekt 6: Quantitative Analytik für (Al,Ga,In)N-Schichtstrukturen, Teilprojekt 6.3: Metallorganische Gasphasenepitaxie und Charakterisierung von InGaN Schichten für quantitative Analytik ; Projekt-Abschlussbericht ; Teilprojektlaufzeit: 01.07.2011 bis 31.12.2012
Autorzy :
Kneissl, Michael
Pokaż więcej
Tytuł :
Abschlußbericht zum Teilvorhaben 'LED Design und Entwicklung von Prozessbausteinen für Emitter im UV-B und UV-C Wellenlängenbereich' im Verbundprojekt 'Deep-UV LEDs auf der Basis von (Al-Galn)N/AlGaN Quantenfilmen für den UV-A, UV-B und UV-C Wellenlängenbereich (250-350 nm)' : Berichtszeitraum: 01.07.2008 - 30.09.2011
LED Design und Entwicklung von Prozessbausteinen für Emitter im UV-B und UV-C Wellenlängenbereich
Autorzy :
Kneissl, Michael
Pristovsek, Markus
Pokaż więcej
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies