- Tytuł:
- Effects of dopant concentration on microstructure and strain states of in-situ phosphorus-doped epitaxial silicon films during dry oxidation
- Autorzy:
- Źródło:
- In Thin Solid Films 1 September 2020 709
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.