- Tytuł:
- 2 dimensional electron gas uniformity of GaN HFET layers on SiC
- Autorzy:
- Źródło:
- In Journal of Crystal Growth 2012 338(1):125-128
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.