Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Kolkovsky, V. l."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł :
Electrical properties of p-ZnTe/n-GaAs junctions grown at different Te/Zn beam equivalent pressure ratios by molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Kolkovsky, V.
Kolkovsky, V. l.
Karczewski, G.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRIC properties of solids
GALLIUM arsenide
SEMICONDUCTOR junctions
TELLURIUM
ZINC
MOLECULAR beam epitaxy
DOPING agents (Chemistry)
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 20, p1-7, 7p, 2 Charts, 7 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ar plasma induced deep levels in epitaxial n-GaAs.
Autorzy :
Venter, A.
Nyamhere, C.
Botha, J. R.
Auret, F. D.
Janse van Rensburg, P. J.
Meyer, W. E.
Coelho, S. M. M.
Kolkovsky, V. l.
Pokaż więcej
Temat :
ARGON plasmas
GALLIUM arsenide
PLASMA etching
IRRADIATION
HYDROGEN plasmas
DEEP level transient spectroscopy
ARRHENIUS equation
ENTHALPY
Źródło :
Journal of Applied Physics; Jan2012, Vol. 111 Issue 1, p013703, 4p, 1 Chart, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Point defects in SiGe alloys: structural guessing based on electronic transition analysis.
Autorzy :
Mesli, A.
Kruszewski, P.
Dobaczewski, L..
Kolkovsky, V. l.
Larsen, A. Nylandsted
Abrosimov, N. V.
Pokaż więcej
Temat :
ALLOYS
METALLIC composites
ELECTRONIC excitation
ENTROPY
THERMODYNAMICS
MICROALLOYING
ATOMIC theory
ATOMIC structure
CRYSTAL defects
Źródło :
Journal of Materials Science: Materials in Electronics; Oct2008 Supplement 1, Vol. 19, p115-121, 7p, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies