Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Kolkovsky, Vl."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Origin and anomalous behavior of dominant defects in 4H-SiC studied by conventional and Laplace deep level transient spectroscopy.
Autorzy :
Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Kolkovsky, Vl.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Gotszalk, T.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
EPITAXIAL layers
ELECTRON emission
CONDUCTION bands
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2/14/2020, Vol. 127 Issue 6, p1-6, 6p, 2 Charts, 6 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Identification of the donor and acceptor states of the bond-centered hydrogen–carbon pair in Si and diluted SiGe alloys.
Autorzy :
Stübner, R.
Kolkovsky, Vl.
Weber, J.
Abrosimov, N. V.
Stanley, C. M.
Backlund, D. J.
Estreicher, S. K.
Pokaż więcej
Temat :
DILUTE alloys
DEEP level transient spectroscopy
VIBRATIONAL spectra
Źródło :
Journal of Applied Physics; 1/31/2020, Vol. 127 Issue 4, p1-12, 12p, 3 Diagrams, 3 Charts, 16 Graphs, 1 Map
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Structural, electrical, and optical characterization of coalescent p-n GaN nanowires grown by molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Kolkovsky, Vl.
Zytkiewicz, Z. R.
Korona, K. P.
Sobanska, M.
Klosek, K.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRIC properties of gallium nitride
OPTICAL properties of gallium nitride
ELECTRIC properties of nanowires
MOLECULAR beam epitaxy
PHOTOLUMINESCENCE
NUCLEAR exciton model
RECTIFICATION (Electricity)
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 22, p224307-1-224307-7, 7p, 2 Black and White Photographs, 1 Chart, 7 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Isolated Ti in Si: Deep level transient spectroscopy, minority carrier transient spectroscopy, and high-resolution Laplace deep level transient spectroscopy studies.
Autorzy :
Scheffler, L.
Kolkovsky, Vl.
Weber, J.
Pokaż więcej
Temat :
TRANSITION metal alloys
DEEP level transient spectroscopy
CHEMICAL beam epitaxy
ELECTRIC field strength
ELECTROSTATICS
FIELD theory (Physics)
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 4, p045713-1-045713-7, 7p, 1 Chart, 8 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies