- Tytuł:
- Electrically active defects induced by hydrogen and helium implantations in Ge
- Autorzy:
- Źródło:
-
In
Materials Science in Semiconductor Processing 2008 11(5):354-359
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.