- Tytuł:
- JICG CMOS transistors for reduction of total ionizing dose and single event effects in a 130 nm bulk SiGe BiCMOS technology
- Autorzy:
- Źródło:
- In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 21 January 2021 987
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.