Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Kinetics of the Luminescence Response of Self-Assembled Ge(Si) Nanoislands Embedded in Two-Dimensional Photonic Crystals

Autorzy:

Yablonskiy, A. N.
Novikov, A. V.
Stepikhova, M. V.
Sergeev, S. M.
Baidakova, N. A.
Shaleev, M. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 54(10):1352-1359

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Enhancement of the Luminescence Signal from Self-Assembled Ge(Si) Nanoislands due to Interaction with the Modes of Two-Dimensional Photonic Crystals

Autorzy:

Yurasov, D. V.
Novikov, A. V.Aff1, Aff2
Dyakov, S. A.
Stepikhova, M. V.
Yablonskiy, A. N.
Sergeev, S. M.
Utkin, D. E.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 54(8):975-981

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping

Autorzy:

Rumyantsev, V. V.Aff1, Aff2
Fadeev, M. A.Aff1, Aff3
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Dubinov, A. A.
Utochkin, V. V.Aff1, Aff2
Antonov, A. V.
Ryzhov, D. A.
Kuritsin, D. I.
Gavrilenko, V. I.
Krasilnik, Z. F.
Sirtori, C.
Teppe, F.
Mikhailov, N. N.
Dvoretsky, S. A.
Morozov, S. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. 41(7):750-757

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Comparative Analysis of the Luminescence of Ge:Sb Layers Grown on Ge(001) and Si(001) Substrates

Autorzy:

Novikov, A. V.
Yurasov, D. V.
Baidakova, N. A.
Bushuykin, P. A.
Andreev, B. A.
Yunin, P. A.
Drozdov, M. N.
Yablonskiy, A. N.
Kalinnikov, M. A.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 53(10):1318-1323

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates

Autorzy:

Baidus, N. V.
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Krasilnik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.
Rykov, A. V.
Reunov, D. G.
Shaleev, M. V.
Yunin, P. A.
Yurasov, D. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 52(12):1547-1550

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Stimulated Emission in the 1.3–1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III–V Heterostructures on Silicon Substrates

Autorzy:

Kudryatvsev, K. E.Aff1, Aff3
Dubinov, A. A.Aff1, Aff3
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff3
Yurasov, D. V.
Gorlachuk, P. V.
Ryaboshtan, Yu. L.
Marmalyuk, A. A.
Novikov, A. V.Aff1, Aff3
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 52(11):1495-1499

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate

Autorzy:

Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Baidus, N. V.
Vikhrova, O. V.
Dubinov, A. A.Aff1, Aff2
Zvonkov, B. N.
Krasilnik, Z. F.Aff1, Aff2
Kudryavtsev, K. E.Aff1, Aff2
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.Aff1, Aff2
Rykov, A. V.
Samartsev, I. V.
Yurasov, D. V.Aff1, Aff2

Pokaż więcej

Źródło:

Technical Physics Letters. 44(8):735-738

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates

Autorzy:

Aleshkin, V. Ya.
Baidus, N. V.
Dubinov, A. A.
Krasilnik, Z. F.
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.
Rykov, A. V.
Yurasov, D. V.
Yablonskiy, A. N.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. May 2017 51(5):663-666

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures

Autorzy:

Andreev, B. A.
Kudryavtsev, K. E.
Yablonskiy, A. N.
Lobanov, D. N.
Bushuykin, P. A.
Krasilnikova, L. V.
Skorokhodov, E. V.
Yunin, P. A.
Novikov, A. V.
Davydov, V. Yu
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Scientific Reports. 8(1)

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers

Autorzy:

Baidakova, N. A.
Novikov, A. V.
Shaleev, M. V.
Yurasov, D. V.
Morozova, E. E.
Shengurov, D. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. December 2016 50(12):1657-1661

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands

Autorzy:

Shmagin, V. B.
Vdovichev, S. N.
Morozova, E. E.
Novikov, A. V.
Shaleev, M. V.
Shengurov, D. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2016 50(11):1475-1478

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Conditions of growth of high-quality relaxed Si1–x Ge x layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire

Autorzy:

Shengurov, V. G.
Chalkov, V. Yu.
Denisov, S. A.
Matveev, S. A.
Nezhdanov, A. V.
Mashin, A. I.
Filatov, D. O.
Stepikhova, M. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. September 2016 50(9):1248-1253

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

On a silicon-based photonic-crystal cavity for the near-IR region: Numerical simulation and formation technology

Autorzy:

Serafimovich, P. G.
Stepikhova, M. V.
Kazanskiy, N. L.
Gusev, S. A.
Egorov, A. V.
Skorokhodov, E. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. August 2016 50(8):1112-1116

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Hodographs in diode-structure diagnostics

Autorzy:

Shmagin, V. B.
Kudryavtsev, K. E.
Novikov, A. V.
Shengurov, D. V.
Yurasov, D. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2015 49(11):1443-1447

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Growth of light-emitting SiGe heterostructures on strained silicon-on-insulator substrates with a thin oxide layer

Autorzy:

Baidakova, N. A.
Bobrov, A. I.
Drozdov, M. N.
Novikov, A. V.
Pavlov, D. A.
Shaleev, M. V.
Yunin, P. A.
Yurasov, D. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. August 2015 49(8):1104-1110

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

GeSi/Si(001) Structures with Self-Assembled Islands: Growth and Optical Properties

Autorzy:

Vostokov, N. V.
Drozdov, Yu. N.
Lobanov, D. N.
Novikov, A. V.
Shaleev, M. V.
Yablonskii, A. N.
Krasilnik, Z. F.
Ankudinov, A. N.
Dunaevskii, M. S.
Titkov, A. N.
Lytvyn, P.
Yukhymchuk, V. U.
Valakh, M. Ya.

Pokaż więcej

Źródło:

Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and Frontiers : Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Quantum Dots: Fundamentals, Applications and Frontiers Crete, Greece, 20–24 July 2003. 190:333-351

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Smbe Grown Uniformly And Selectively Doped Si:Er Structures For Leds And Lasers

Autorzy:

Krasilnik, Z. F.
Aleshkin, V. Ya.
Andreev, B. A.
Gusev, O. B.
Jantsch, W.
Krasilnikova, L. V.
Kryzhkov, D. I.
Shengurov, V. G.
Shmagin, V. B.
Sobolev, N. A.
Stepikhova, M. V.
Yablonsky, A. N.

Pokaż więcej

Źródło:

Towards the First Silicon Laser. 93:445-454

Książka elektroniczna

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Specific features of the nonradiative relaxation of Er ions in epitaxial Si structures

Autorzy:

Kudryavtsev, K. E.
Kryzhkov, D. I.
Antonov, A. V.
Shengurov, D. V.
Shmagin, V. B.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. December 2014 48(12):1586-1591

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Si1 − x Ge x /Si heterostructures grown by molecular-beam epitaxy on silicon-on-sapphire substrates

Autorzy:

Denisov, S. A.
Matveev, S. A.
Chalkov, V. Yu.
Shengurov, V. G.
Drozdov, Yu. N.
Stepikhova, M. V.
Shengurov, D. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. March 2014 48(3):402-405

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

Features of impurity photoconductivity in Si:Er/Si epitaxial diodes

Autorzy:

Antonov, A. V.
Kudryavtsev, K. E.
Shengurov, D. V.
Shmagin, V. B.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2013 47(11):1500-1503

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates

Autorzy:

Aleshkin, V. Ya.
Dikareva, N. V.
Dubinov, A. A.
Zvonkov, B. N.
Krasilnik, Z. F.
Nekorkin, S. M.

Pokaż więcej

Źródło:

Technical Physics Letters. March 2015 41(3):304-306

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms

Autorzy:

Shengurov, D. V.
Chalkov, V. Yu.
Denisov, S. A.
Shengurov, V. G.
Stepikhova, M. V.
Drozdov, M. N.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. March 2013 47(3):433-436

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

Transition from the two- to three-dimensional growth of Ge films upon deposition onto relaxed SiGe/Si(001) buffer layers

Autorzy:

Shaleev, M. V.
Novikov, A. V.
Yurasov, D. V.
Hartmann, J. M.
Kuznetsov, O. A.
Lobanov, D. N.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. March 2013 47(3):427-432

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

Effect of silicon spacer thickness on the electroluminescence of multilayer structures with self-assembled Ge(Si)/Si(001) islands

Autorzy:

Lobanov, D. N.
Novikov, A. V.
Kudryavtsev, K. E.
Shaleev, M. V.
Shengurov, D. V.
Krasilnik, Z. F.
Zakharov, N. D.
Werner, P.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2012 46(11):1418-1422

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Mechanism of the subband excitation of photoluminescence from erbium ions in silicon under high-intensity optical pumping

Autorzy:

Yablonskiy, A. N.
Andreev, B. A.
Kryzhkov, D. I.
Kuznetsov, V. P.
Shengurov, D. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2012 46(11):1407-1410

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Determination of the excitation cross section of photoluminescence from an Er ion in the case of homogeneous and inhomogeneous optical excitation

Autorzy:

Andreev, B. A.
Krasilnik, Z. F.
Kryzhkov, D. I.
Kuznetsov, V. P.
Yablonskiy, A. N.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2012 46(11):1372-1375

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

Picosecond photoluminescence dynamics in an InGaAs/GaAs quantum-well heterostructure

Autorzy:

Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Gavrilenko, L. V.
Krasilnik, Z. F.
Kuritsyn, K. I.
Kryzhkov, D. I.
Morozov, S. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. July 2012 46(7):917-920

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si1 − x Ge x buffer layers

Autorzy:

Strelchuk, V. V.
Nikolenko, A. S.
Lytvyn, P. M.
Kladko, V. P.
Gudymenko, A. I.
Valakh, M. Ya.
Krasilnik, Z. F.
Lobanov, D. N.
Novikov, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. May 2012 46(5):647-654

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

Natural fluctuations in tunneling-current distribution over the area of a reverse-biased silicon p-n junction

Autorzy:

Kozlov, V. A.
Obolensky, S. V.
Shmagin, V. B.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. January 2012 46(1):130-135

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Comparative analysis of radiation effects on the electroluminescence of Si and SiGe/Si(001) heterostructures with self-assembled Islands

Autorzy:

Krasilnik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Kachemtsev, A. N.
Lobanov, D. N.
Novikov, A. V.
Obolenskiy, S. V.
Shengurov, D. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. February 2011 45(2):225-229

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Photoluminescence line width of self-assembled Ge(Si) islands arranged between strained Si layers

Autorzy:

Shaleev, M. V.
Novikov, A. V.
Baydakova, N. A.
Yablonskiy, A. N.
Kuznetsov, O. A.
Lobanov, D. N.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. February 2011 45(2):198-202

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Dependence of the concentration of ionized donors on epitaxy temperature for Si:Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy

Autorzy:

Kuznetsov, V. P.
Shmagin, V. B.
Drozdov, M. N.
Marychev, M. O.
Kudryavtsev, K. E.
Kuznetsov, M. V.
Andreev, B. A.
Kornaukhov, A. V.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. January 2011 45(1):130-133

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Special features of the excitation spectra and kinetics of photoluminescence of the Si1 − x Ge x :Er/Si structures with relaxed heterolayers

Autorzy:

Krasilnikova, L. V.
Yablonskiy, A. N.
Stepikhova, M. V.
Drozdov, Yu. N.
Shengurov, V. G.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2010 44(11):1480-1485

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Specific features of the mechanisms of excitation of erbium photoluminescence in epitaxial Si:Er/Si structures

Autorzy:

Yablonskiy, A. N.
Andreev, B. A.
Krasilnikova, L. V.
Kryzhkov, D. I.
Kuznetsov, V. P.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2010 44(11):1472-1475

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Effect of irradiation on the luminescence properties of low-dimensional SiGe/Si(001) heterostructures

Autorzy:

Novikov, A. V.
Yablonskiy, A. N.
Platonov, V. V.
Obolenskiy, S. V.
Lobanov, D. N.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. March 2010 44(3):329-334

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Optically active centers in Si/Si1 − x Ge x :Er heterostructures containing Er ions

Autorzy:

Krasilnikova, L. V.
Strepikhova, M. V.
Baidakova, N. A.
Drozdov, Yu. N.
Krasilnik, Z. F.
Chalkov, V. Yu.
Shengurov, V. G.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. July 2009 43(7):877-884

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Effect of parameters of Ge(Si)/Si(001) self-assembled islands on their electroluminescence at room temperature

Autorzy:

Lobanov, D. N.
Novikov, A. V.
Kudryavtsev, K. E.
Shengurov, D. V.
Drozdov, Yu. N.
Yablonskiy, A. N.
Shmagin, V. B.
Krasilnik, Z. F.
Zakharov, N. D.
Werner, P.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. March 2009 43(3):313-317

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Optically active Er centers in Si/Si1 − x Ge x structures under optical pumping

Autorzy:

Krasilnikova, L. V.
Baidakova, N. A.
Stepikhova, M. V.
Krasilnik, Z. F.
Chalkov, V. Yu.
Shengurov, V. G.

Pokaż więcej

Źródło:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. January 2009 73(1):96-100

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Comparative analysis of photoluminescence and electroluminescence of multilayer structures with self-assembled Ge(Si)/Si(001) island

Autorzy:

Drozdov, Yu. N.
Krasilnik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Lobanov, D. N.
Novikov, A. V.
Shaleev, M. V.
Shengurov, D. V.
Shmagin, V. B.
Yablonskiy, A. N.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. March 2008 42(3):286-290

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Electroluminescence at a wavelength of 1.54 μm in Si:Er/Si structures consisting of a number of p-n junctions

Autorzy:

Kuznetsov, V. P.
Stepihova, M. V.
Shmagin, V. B.
Marychev, M. O.
Alyabina, N. A.
Kuznetsov, M. V.
Andreev, B. A.
Kornaukhov, A. V.
Gorshkov, O. N.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. November 2011 45(11):1430-1432

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Electroluminescence at a wavelength of 1.5 μm in Si:Er/Si diode structures doped with Al, Ga, and B acceptors

Autorzy:

Kuznetsov, V. P.
Shmagin, V. B.
Marychev, M. O.
Kudryavtsev, K. E.
Kuznetsov, M. V.
Andreev, B. A.
Kornaukhov, A. V.
Gorshkov, O. N.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. December 2010 44(12):1597-1599

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 48.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 49.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 50.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 51.

Tytuł:

Optically active centers in Si/Si1 − xGe x:Er heterostructures containing Er ions.

Autorzy:

Krasilnikova, L. V.
Strepikhova, M. V.
Baidakova, N. A.
Drozdov, Yu. N.
Krasilnik, Z. F.
Chalkov, V. Yu.
Shengurov, V. G.

Pokaż więcej

Temat:

ERBIUM
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
IONS
OXYGEN

Źródło:

Semiconductors; Jul2009, Vol. 43 Issue 7, p877-884, 8p, 1 Chart, 4 Graphs

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 52.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 53.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 54.

Tytuł:

Strain-driven alloying: effect on sizes, shape and photoluminescence of GeSi/Si(001) self-assembled islands

Autorzy:

Novikov, A. V.
Andreev, B. A.
Vostokov, N. V.
Drozdov, Y. N.
Krasilnik, Z. F.
Lobanov, D. N.
Moldavskaya, L. D.
Yablonskiy, A. N.
Miura, M.
Usami, N.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology; 2002, Vol. 89 Issue: 1-3 p62-65, 4p

Periodyk

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 55.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 56.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 57.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 58.

Informacja:

Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 59.

Tytuł:

Holmium-related luminescence in crystalline silicon

Autorzy:

Sobolev, N. A.
Emelyanov, A. M.
Nikolaev, Y. A.
Andreev, B. A.
Krasilnik, Z. F.

Pokaż więcej

Źródło:

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology; 2001, Vol. 81 Issue: 1 p176-178, 3p

Periodyk

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 60.

Tytuł:

Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate.

Autorzy:

Smagina, Zh. V. (AUTHOR)
Zinovyev, V. A. (AUTHOR)
Stepikhova, M. V. (AUTHOR)
Peretokin, A. V. (AUTHOR)
Dyakov, S. A. (AUTHOR)
Rodyakina, E. E. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)
Dvurechenskii, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Feb2022, Vol. 56 Issue 2, p101-106. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 61.

Tytuł:

Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs.

Autorzy:

Sushkov, A. A. (AUTHOR)
Pavlov, D. A. (AUTHOR)
Andrianov, A. I. (AUTHOR)
Shengurov, V. G. (AUTHOR)
Denisov, S. A. (AUTHOR)
Chalkov, V. Yu. (AUTHOR)
Kriukov, R. N. (AUTHOR)
Baidus, N. V. (AUTHOR)
Yurasov, D. V. (AUTHOR)
Rykov, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Feb2022, Vol. 56 Issue 2, p122-133. 12p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 62.

Tytuł:

Enhanced luminescence efficiency in Eu-doped GaN superlattice structures revealed by terahertz emission spectroscopy

Autorzy:

Murakami, Fumikazu
Takeo, Atsushi
Mitchell, BrandonAff2, Aff3, Aff4
Dierolf, Volkmar
Fujiwara, Yasufumi
Tonouchi, MasayoshiAff1, IDs43246023004286_cor6

Pokaż więcej

Źródło:

Communications Materials. 4(1)

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 63.

Tytuł:

Effect of Internal Optical Losses on the Generation of Mid-IR Stimulated Emission in Waveguide Heterostructures with HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells.

Autorzy:

Utochkin, V. V. (AUTHOR)
Dubinov, A. A. (AUTHOR)
Fadeev, M. A. (AUTHOR)
Rumyantsev, V. V. (AUTHOR)
Mikhailov, N. N. (AUTHOR)
Dvoretsky, S. A. (AUTHOR)
Gavrilenko, V. I. (AUTHOR)
Morozov, S. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Dec2021, Vol. 55 Issue 12, p899-902. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 64.

Tytuł:

Formation and Optical Properties of Locally Strained Ge Microstructures Embedded into Cavities.

Autorzy:

Yurasov, D. V. (AUTHOR)
Baídakova, N. A. (AUTHOR)
Verbus, V. A. (AUTHOR)
Gusev, N. S. (AUTHOR)
Morozova, E. E. (AUTHOR)
Shengurov, D. V. (AUTHOR)
Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Jun2021, Vol. 55 Issue 6, p531-536. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 65.

Tytuł:

Effect of the AlGaAs Seed Layer Composition on Antiphase Domains Formation in (Al)GaAs Structures Grown by Vapor-Phase Epitaxy on Ge/Si(100) Substrates.

Autorzy:

Rykov, A. V. (AUTHOR)
Kryukov, R. N. (AUTHOR)
Samartsev, I. V. (AUTHOR)
Yunin, P. A. (AUTHOR)
Shengurov, V. G. (AUTHOR)
Zaitsev, A. V. (AUTHOR)
Baidus', N. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Technical Physics Letters. May2021, Vol. 47 Issue 5, p413-416. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 66.

Tytuł:

Effect of irradiation with continuous 28 MeV He ion beam on optical properties of multilayer Al-Si-N coatings.

Autorzy:

Konusov, F.
Pavlov, S.
Lauk, A.
Sokhoreva, V.
Gadirov, R.
Tarbokov, V.
Remnev, G.

Pokaż więcej

Źródło:

Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Mar/Apr2021, Vol. 176 Issue 3/4, p308-319. 12p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 67.

Tytuł:

SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY.

Autorzy:

Zikrillaev, N. F. (AUTHOR)
Koveshnikov, S. V. (AUTHOR)
Isamov, S. B. (AUTHOR)
Abdurahmonov, B. A. (AUTHOR)
Kushiev, G. A. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Jan2022, Vol. 56 Issue 1, p29-31. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 68.

Tytuł:

Growth of a Ge Layer on a Si/SiO2/Si(100) Structure by the Hot Wire Chemical Vapor Deposition.

Autorzy:

Sushkov, A. A. (AUTHOR)
Pavlov, D. A. (AUTHOR)
Denisov, S. A. (AUTHOR)
Chalkov, V. Yu. (AUTHOR)
Kryukov, R. N. (AUTHOR)
Pitirimova, E. A. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1332-1335. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 69.

Tytuł:

Investigation of Stimulated Emission from HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures in the 3–5 μm Atmospheric Transparency Window.

Autorzy:

Kushkov, L. A. (AUTHOR)
Utochkin, V.V. (AUTHOR)
Aleshkin, V. Ya. (AUTHOR)
Dubinov, A. A. (AUTHOR)
Kudryavtsev, K. E. (AUTHOR)
Gavrilenko, V. I. (AUTHOR)
Kulikov, N. S. (AUTHOR)
Fadeev, M. A. (AUTHOR)
Rumyantsev, V. V. (AUTHOR)
Mikhailov, N. N. (AUTHOR)
Dvoretskii, S. A. (AUTHOR)
Razova, A. A. (AUTHOR)
Morozov, S. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1365-1370. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 70.

Tytuł:

Investigation of the Photosensitivity of Narrow-Gap and Gapless HgCdTe Solid Solutions in the Terahertz and Sub-Terahertz Range.

Autorzy:

Rumyantsev, V. V. (AUTHOR)
Maremyanin, K. V. (AUTHOR)
Razova, A. A. (AUTHOR)
Sergeev, S. M. (AUTHOR)
Mikhailov, N. N. (AUTHOR)
Dvoretskii, S. A. (AUTHOR)
Gavrilenko, V. I. (AUTHOR)
Morozov, S. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1096-1102. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 71.

Tytuł:

Luminescence of Spatially Ordered Self-Assembled Solitary Ge(Si) Nanoislands and their Groups Incorporated into Photonic Crystals.

Autorzy:

Smagina, Zh. V. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)
Stepikhova, M. V. (AUTHOR)
Zinovyev, V. A. (AUTHOR)
Rodyakina, E. E. (AUTHOR)
Nenashev, A. V. (AUTHOR)
Sergeev, S. M. (AUTHOR)
Peretokin, A. V. (AUTHOR)
Kuchinskaya, P. A. (AUTHOR)
Shaleev, M. V. (AUTHOR)
Gusev, S. A. (AUTHOR)
Dvurechenskii, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p853-859. 7p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 72.

Tytuł:

Influence of the Growth Conditions and Doping Level on the Luminescence Kinetics of Ge:Sb Layers Grown on Silicon.

Autorzy:

Yurasov, D. V. (AUTHOR)
Baídakova, N. A. (AUTHOR)
Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Jul2020, Vol. 54 Issue 7, p811-816. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 73.

Tytuł:

Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge.

Autorzy:

Zinovieva, A. F.
Zinovyev, V. A.
Nenashev, A. V.
Teys, S. A.
Dvurechenskii, A. V.
Borodavchenko, O. M.
Zhivulko, V. D.
Mudryi, A. V.

Pokaż więcej

Źródło:

Scientific Reports. 6/9/2020, Vol. 10 Issue 1, p1-9. 9p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 74.

Tytuł:

Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics.

Autorzy:

Yurasov, D. V. (AUTHOR)
Baidakova, N. A. (AUTHOR)
Verbus, V. A. (AUTHOR)
Gusev, N. S. (AUTHOR)
Mashin, A. I. (AUTHOR)
Morozova, E. E. (AUTHOR)
Nezhdanov, A. V. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)
Skorohodov, E. V. (AUTHOR)
Shengurov, D. V. (AUTHOR)
Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1324-1328. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 75.

Tytuł:

Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals.

Autorzy:

Smagina, Zn. V. (AUTHOR)
Zinovyev, V. A. (AUTHOR)
Rodyakina, E. E. (AUTHOR)
Fomin, B. I. (AUTHOR)
Stepikhova, M. V. (AUTHOR)
Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
Gusev, S. A. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)
Dvurechenskii, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1329-1333. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 76.

Tytuł:

Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers.

Autorzy:

Andreev, B. A. (AUTHOR)
Lobanov, D. N. (AUTHOR)
Krasil'nikova, L. V. (AUTHOR)
Bushuykin, P. A. (AUTHOR)
Yablonskiy, A. N. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)
Davydov, V. Yu. (AUTHOR)
Yunin, P. A. (AUTHOR)
Kalinnikov, M. I. (AUTHOR)
Skorohodov, E. V. (AUTHOR)
Krasil'nik, Z. F. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Oct2019, Vol. 53 Issue 10, p1357-1362. 6p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 77.

Tytuł:

Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate.

Autorzy:

Sushkov, A. A. (AUTHOR)
Pavlov, D. A. (AUTHOR)
Shengurov, V. G. (AUTHOR)
Denisov, S. A. (AUTHOR)
Chalkov, V. Yu. (AUTHOR)
Baidus, N. V. (AUTHOR)
Rykov, A. V. (AUTHOR)
Kryukov, R. N. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1242-1245. 4p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 78.

Tytuł:

Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown by MOCVD.

Autorzy:

Aleshkin, V. Ya. (AUTHOR)
Baidus, N. V. (AUTHOR)
Dubinov, A. A. (AUTHOR)
Kudryavtsev, K. E. (AUTHOR)
Nekorkin, S. M. (AUTHOR)
Kruglov, A. V. (AUTHOR)
Reunov, D. G. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Aug2019, Vol. 53 Issue 8, p1138-1142. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 79.

Tytuł:

Influence of Annealing on the Properties of Ge:Sb/Si(001) Layers with an Antimony Concentration Above Its Equilibrium Solubility in Germanium.

Autorzy:

Yurasov, D. V. (AUTHOR)
Baidakova, N. A. (AUTHOR)
Drozdov, M. N. (AUTHOR)
Morozova, E. E. (AUTHOR)
Kalinnikov, M. A. (AUTHOR)
Novikov, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. Jul2019, Vol. 53 Issue 7, p882-886. 5p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 80.

Tytuł:

Self-Organization of Ge(Si) Nanoisland Groups on Pit-Patterned Si(100) Substrates.

Autorzy:

Smagina, Zh. V. (AUTHOR)
Zinoviev, V. A. (AUTHOR)
Rudin, S. A. (AUTHOR)
Rodyakina, E. E. (AUTHOR)
Novikov, P. L. (AUTHOR)
Nenashev, A. V. (AUTHOR)
Dvurechenskii, A. V. (AUTHOR)

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductors. 2020, Vol. 54 Issue 14, p1866-1868. 3p.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły

Skocz do pozycji: 81.

Tytuł:

Effect of the Content of Silicon on the Optical Properties of Al–Si–N Coatings Irradiated with Carbon Ions in the Short-Pulse Implantation Mode.

Autorzy:

Konusov, F. V.
Pavlov, S. K.
Lauk, A. L.
Tarbokov, V. A.
Remnev, G. E.
Gadirov, R. M.

Pokaż więcej

Źródło:

Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Oct2022, Vol. 16 Issue 5, p702-711, 10p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 82.

Tytuł:

Scanning Probe Microscopy in Practical Diagnostic: 3D Topography Imaging and Nanometrology.

Autorzy:

Lytvyn, Petro M.

Pokaż więcej

Źródło:

Functional Nanomaterials & Devices for Electronics, Sensors & Energy Harvesting; 2014, p179-219, 41p

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 83.

Tytuł:

Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands.

Autorzy:

Gudymenko, O. Yo.
Kladko, V. P.
Yefanov, O. M.
Slobodian, M. V.
Polischuk, Yu. S.
Krasilnik, Z. F.
Lobanov, D. V.
Novikov, A. A.

Pokaż więcej

Źródło:

Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2011, Vol. 14 Issue 4, p389-392. 4p. 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs.

Czasopismo naukowe

• na półce

Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły

Skocz do pozycji: 84.

Tytuł:

Silicon-germanium nanostructures with high germanium concentration.

Autorzy:

Sadofyev, Yu.
Martovitsky, V.
Bazalevsky, M.

Pokaż więcej

Źródło:

Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; Jan2014, Vol. 78 Issue 1, p29-33, 5p

Czasopismo naukowe

• na półce

Szczegóły