- Tytuł:
- Transition from the two- to three-dimensional growth of Ge films upon deposition onto relaxed SiGe/Si(001) buffer layers
- Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. March 2013 47(3):427-432
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.