Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Krasilnik, Z. F."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-60 z 60
Tytuł:
Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping
Autorzy:
Rumyantsev, V. V.Aff1, Aff2
Fadeev, M. A.Aff1, Aff3
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Dubinov, A. A.
Utochkin, V. V.Aff1, Aff2
Antonov, A. V.
Ryzhov, D. A.
Kuritsin, D. I.
Gavrilenko, V. I.
Krasilnik, Z. F.
Sirtori, C.
Teppe, F.
Mikhailov, N. N.
Dvoretsky, S. A.
Morozov, S. V.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. 41(7):750-757
Czasopismo naukowe
Tytuł:
On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates
Autorzy:
Baidus, N. V.
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Krasilnik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.
Rykov, A. V.
Reunov, D. G.
Shaleev, M. V.
Yunin, P. A.
Yurasov, D. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 52(12):1547-1550
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Stimulated Emission in the 1.3–1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III–V Heterostructures on Silicon Substrates
Autorzy:
Kudryatvsev, K. E.Aff1, Aff3
Dubinov, A. A.Aff1, Aff3
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff3
Yurasov, D. V.
Gorlachuk, P. V.
Ryaboshtan, Yu. L.
Marmalyuk, A. A.
Novikov, A. V.Aff1, Aff3
Krasilnik, Z. F.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. 52(11):1495-1499
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate
Autorzy:
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Baidus, N. V.
Vikhrova, O. V.
Dubinov, A. A.Aff1, Aff2
Zvonkov, B. N.
Krasilnik, Z. F.Aff1, Aff2
Kudryavtsev, K. E.Aff1, Aff2
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.Aff1, Aff2
Rykov, A. V.
Samartsev, I. V.
Yurasov, D. V.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. 44(8):735-738
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Conditions of growth of high-quality relaxed Si1–x Ge x layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire
Autorzy:
Shengurov, V. G.
Chalkov, V. Yu.
Denisov, S. A.
Matveev, S. A.
Nezhdanov, A. V.
Mashin, A. I.
Filatov, D. O.
Stepikhova, M. V.
Krasilnik, Z. F.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. September 2016 50(9):1248-1253
Czasopismo naukowe
Tytuł:
GeSi/Si(001) Structures with Self-Assembled Islands: Growth and Optical Properties
Autorzy:
Vostokov, N. V.
Drozdov, Yu. N.
Lobanov, D. N.
Novikov, A. V.
Shaleev, M. V.
Yablonskii, A. N.
Krasilnik, Z. F.
Ankudinov, A. N.
Dunaevskii, M. S.
Titkov, A. N.
Lytvyn, P.
Yukhymchuk, V. U.
Valakh, M. Ya.
Pokaż więcej
Źródło:
Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and Frontiers : Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Quantum Dots: Fundamentals, Applications and Frontiers Crete, Greece, 20–24 July 2003. 190:333-351
Książka elektroniczna
    Wyświetlanie 1-60 z 60

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies