Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Krasilnik, Z. F."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-39 z 39
Tytuł :
Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate
Autorzy :
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Baidus, N. V.
Vikhrova, O. V.
Dubinov, A. A.Aff1, Aff2
Zvonkov, B. N.
Krasilnik, Z. F.Aff1, Aff2
Kudryavtsev, K. E.Aff1, Aff2
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.Aff1, Aff2
Rykov, A. V.
Samartsev, I. V.
Yurasov, D. V.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło :
Technical Physics Letters. 44(8):735-738
Czasopismo naukowe
Tytuł :
On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates
Autorzy :
Baidus, N. V.
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Krasilnik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.
Rykov, A. V.
Reunov, D. G.
Shaleev, M. V.
Yunin, P. A.
Yurasov, D. V.
Pokaż więcej
Źródło :
Semiconductors. 52(12):1547-1550
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping
Autorzy :
Rumyantsev, V. V.Aff1, Aff2
Fadeev, M. A.Aff1, Aff3
Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Dubinov, A. A.
Utochkin, V. V.Aff1, Aff2
Antonov, A. V.
Ryzhov, D. A.
Kuritsin, D. I.
Gavrilenko, V. I.
Krasilnik, Z. F.
Sirtori, C.
Teppe, F.
Mikhailov, N. N.
Dvoretsky, S. A.
Morozov, S. V.Aff1, Aff2
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. 41(7):750-757
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-39 z 39

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies