Autor: "Kudryavtsev, K. E." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Investigation of Stimulated Emission from HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures in the 3–5 μm Atmospheric Transparency Window
Autorzy :: Kushkov, L. A.Aff1, Aff2
Utochkin, V.V.Aff1, Aff2
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Kudryavtsev, K. E.
Gavrilenko, V. I.
Kulikov, N. S.Aff1, Aff2
Fadeev, M. A.
Rumyantsev, V. V.
Mikhailov, N. N.
Dvoretskii, S. A.
Razova, A. A.Aff1, Aff2
Morozov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(10):1365-1370
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Investigation into Microwave Absorption in Semiconductors for Frequency-Multiplication Devices and Radiation-Output Control of Continuous and Pulsed Gyrotrons
Autorzy :: Maremyanin, K. V.
Parshin, V. V.
Serov, E. A.
Rumyantsev, V. V.
Kudryavtsev, K. E.
Dubinov, A. A.
Fokin, A. P.
Morosov, S. S.
Aleshkin, V. Ya.
Glyavin, M. Yu.
Denisov, G. G.
Morozov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(9):1069-1074
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Stimulated Emission at a Wavelength of 2.86 μm from In(Sb, As)/In(Ga, Al)As/GaAs Metamorphic Quantum Wells under Optical Pumping
Autorzy :: Solov’ev, V. A.
Chernov, M. Yu.
Morozov, S. V.
Kudryavtsev, K. E.
Sitnikova, A. A.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: JETP Letters. 110(5):313-318
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown by MOCVD
Autorzy :: Aleshkin, V. Ya.
Baidus, N. V.
Dubinov, A. A.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.
Kruglov, A. V.
Reunov, D. G.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 53(8):1138-1142
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics
Autorzy :: Novikov, A. V.Aff1, Aff2
Yurasov, D. V.
Morozova, E. E.
Skorohodov, E. V.
Verbus, V. A.Aff1, Aff3
Yablonskiy, A. N.
Baidakova, N. A.
Gusev, N. S.
Kudryavtsev, K. E.Aff1, Aff2
Nezhdanov, A. V.
Mashin, A. I.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(11):1442-1447
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate
Autorzy :: Aleshkin, V. Ya.Aff1, Aff2
Baidus, N. V.
Vikhrova, O. V.
Dubinov, A. A.Aff1, Aff2
Zvonkov, B. N.
Krasilnik, Z. F.Aff1, Aff2
Kudryavtsev, K. E.Aff1, Aff2
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.Aff1, Aff2
Rykov, A. V.
Samartsev, I. V.
Yurasov, D. V.Aff1, Aff2; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 44(8):735-738
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate
Autorzy :: Shtrom, I. V.Aff1, Aff2, Aff3
Filosofov, N. G.
Agekian, V. F.
Smirnov, M. B.
Serov, A. Yu.
Reznik, R. R.Aff1, Aff2, Aff4
Kudryavtsev, K. E.
Cirlin, G. E.Aff1, Aff2, Aff4; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(5):602-604
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Temperature limitations for stimulated emission in 3–4 μm range due to threshold and non-threshold Auger recombination in HgTe/CdHgTe quantum wells.
Autorzy :: Kudryavtsev, K. E.
Rumyantsev, V. V.
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Utochkin, V. V.
Fadeev, M. A.
Mikhailov, N. N.
Alymov, G.
Svintsov, D.
Gavrilenko, V. I.
Morozov, S. V.; Pokaż więcej
Temat :: ELECTRON-hole recombination
STIMULATED emission
QUANTUM wells
TEMPERATURE
WAVELENGTHS
Źródło :: Applied Physics Letters; 8/24/2020, Vol. 117 Issue 8, p1-5, 5p, 4 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures
Autorzy :: Andreev, B. A.
Kudryavtsev, K. E.
Yablonskiy, A. N.
Lobanov, D. N.
Bushuykin, P. A.
Krasilnikova, L. V.
Skorokhodov, E. V.
Yunin, P. A.
Novikov, A. V.
Davydov, V. Yu
Krasilnik, Z. F.; Pokaż więcej
Źródło :: Scientific Reports. 8(1)
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells
Autorzy :: Rumyantsev, V. V.
Fadeev, M. A.
Morozov, S. V.
Dubinov, A. A.
Kudryavtsev, K. E.
Kadykov, A. M.
Tuzov, I. V.
Dvoretskii, S. A.
Mikhailov, N. N.
Gavrilenko, V. I.
Teppe, F.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. December 2016 50(12):1651-1656
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate
Autorzy :: Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Kudryavtsev, K. E.
Yunin, P. A.
Drozdov, M. N.
Vikhrova, O. V.
Nekorkin, S. M.
Zvonkov, B. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. May 2016 50(5):586-589
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Hodographs in diode-structure diagnostics
Autorzy :: Shmagin, V. B.
Kudryavtsev, K. E.
Novikov, A. V.
Shengurov, D. V.
Yurasov, D. V.
Krasilnik, Z. F.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. November 2015 49(11):1443-1447
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Effect of the direct capture of holes with the emission of optical phonons on impurity-photoconductivity relaxation in p-Si:B
Autorzy :: Kozlov, D. V.
Morozov, S. V.
Rumyantsev, V. V.
Tuzov, I. V.
Kudryavtsev, K. E.
Gavrilenko, V. I.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2015 49(2):187-190
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Absorption cross section for the in Si:Er:O/SOI epitaxial layers
Autorzy :: Kudryavtsev, K. E.
Kryzhkov, D. I.
Krasil’nikova, L. V.
Shengurov, D. V.
Shmagin, V. B.
Andreev, B. A.
Krasil’nik, Z. F.; Pokaż więcej
Źródło :: JETP Letters: JETP Letters. February 2015 100(12):807-811
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells
Autorzy :: Aleshkin, V. Ya.
Dikareva, N. V.
Dubinov, A. A.
Zvonkov, B. N.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2015 49(2):170-173
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer
Autorzy :: Aleshkin, V. Ya.
Dikareva, N. V.
Dubinov, A. A.
Zvonkov, B. N.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.
Yunin, P. A.
Yurasov, D. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. July 2015 41(7):648-650
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate
Autorzy :: Aleshkin, V. Ya.
Dikareva, N. V.
Dubinov, A. A.
Denisov, S. A.
Krasil’nik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Matveev, S. A.
Nekorkin, S. M.
Shengurov, V. G.; Pokaż więcej
Źródło :: JETP Letters: JETP Letters. February 2015 100(12):795-797
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Kudryavtsev, K. E."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język