Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Kudryavtsev, K. E."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 41-55 z 55
Tytuł:
On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates.
Autorzy:
Baidus, N. V.
Aleshkin, V. Ya.
Dubinov, A. A.
Krasilnik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.
Rykov, A. V.
Reunov, D. G.
Shaleev, M. V.
Yunin, P. A.
Yurasov, D. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Semiconductors. Dec2018, Vol. 52 Issue 12, p1547-1550. 4p.
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
Tytuł:
Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate.
Autorzy:
Aleshkin, V. Ya.
Baidus, N. V.
Vikhrova, O. V.
Dubinov, A. A.
Zvonkov, B. N.
Krasilnik, Z. F.
Kudryavtsev, K. E.
Nekorkin, S. M.
Novikov, A. V.
Rykov, A. V.
Samartsev, I. V.
Yurasov, D. V.
Pokaż więcej
Źródło:
Technical Physics Letters. Aug2018, Vol. 44 Issue 8, p735-738. 4p.
Czasopismo naukowe
Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
Wyświetlanie 41-55 z 55

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies