- Tytuł :
- Intensive Study of Field-Plated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Substrate for High Power RF Applications
- Autorzy :
- Źródło :
- Silicon. :1-6
-
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.