- Tytuł:
- Intensive Study of Field-Plated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Substrate for High Power RF Applications
- Autorzy:
- Źródło:
- Silicon. 14(8):4277-4282
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.