- Tytuł:
-
Investigation on L
G = 50 nm Tapered T-Gated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Wafer with a fT /fmax of 264/312 GHz for beyond 5G (B5G) Applications - Autorzy:
- Źródło:
- Silicon. 14(17):11315-11322
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.