Autor: "Kunitsyna, E. V." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Photodiodes for Detecting the Emission of Quantum-Sized Disc Lasers Operating in the Whispering Gallery Modes (2.2–2.3 μm)
Autorzy :: Kunitsyna, E. V.
Royz, M. A.
Andreev, I. A.
Grebenshchikova, E. A.
Pivovarova, A. A.
Ahmetoglu (Afrailov), M.
Lebiadok, Ya. V.
Mikulich, R. Yu.
Iliinskaya, N. D.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(7):796-802
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Electroluminescence in n-GaSb/InAs/p-GaSb Heterostructures with a Single Quantum Well Grown by MOVPE
Autorzy :: Mikhailova, M. P.
Ivanov, E. V.
Danilov, L. V.
Levin, R. V.
Andreev, I. A.
Kunitsyna, E. V.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 53(1):46-50
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: GaSb/GaAlAsSb Heterostructure Photodiodes for the Near-IR Spectral Range
Autorzy :: Kunitsyna, E. V.
Andreev, I. A.
Konovalov, G. G.
Ivanov, E. V.
Pivovarova, A. A.
Il’inskaya, N. D.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(9):1215-1220
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Photoconductivity Amplification in a Type-II n-GaSb/InAs/p-GaSb Heterostructure with a Single QW
Autorzy :: Mikhailova, M. P.
Andreev, I. A.
Konovalov, G. G.
Danilov, L. V.
Ivanov, E. V.
Kunitsyna, E. V.
Il’inskaya, N. D.
Levin, R. V.
Pushnyi, B. V.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(8):1037-1042
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range
Autorzy :: Kunitsyna, E. V.
Grebenshchikova, E. A.
Konovalov, G. G.
Andreev, I. A.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. October 2016 50(10):1403-1407
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons
Autorzy :: Bogdanovich, M. V.
Kabanau, D. M.
Lebiadok, Y. V.
Shpak, P. V.
Ryabtsev, A. G.
Ryabtsev, G. I.
Shchemelev, M. A.
Andreev, I. A.
Kunitsyna, E. V.
Ivanov, E. V.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics. February 2017 62(2):344-346
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm
Autorzy :: Andreev, I. A.
Serebrennikova, O. Yu.
Il’inskaya, N. D.
Pivovarova, A. A.
Konovalov, G. G.
Kunitsyna, E. V.
Sherstnev, V. V.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. December 2015 49(12):1671-1677
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide
Autorzy :: Bezyazychnaya, T. V.
Bogdanovich, M. V.
Kabanov, V. V.
Kabanau, D. M.
Lebiadok, Y. V.
Parashchuk, V. V.
Ryabtsev, A. G.
Ryabtsev, G. I.
Shpak, P. V.
Shchemelev, M. A.
Andreev, I. A.
Kunitsyna, E. V.
Sherstnev, V. V.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 49(7):980-983
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: High-speed photodiodes for the mid-infrared spectral region 1.2–2.4 μm based on GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures with a transmission band of 2–5 GHz
Autorzy :: Andreev, I. A.
Serebrennikova, O. Yu.
Sokolovskii, G. S.
Dudelev, V. V.
Ilynskaya, N. D.
Konovalov, G. G.
Kunitsyna, E. V.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. August 2013 47(8):1103-1109
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 11 11.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Passivation of infrared photodiodes with alcoholic sulfide solution
Autorzy :: Lebedev, M. V.
Sherstnev, V. V.
Kunitsyna, E. V.
Andreev, I. A.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. April 2011 45(4):526-529
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Molecular beam epitaxy of thermodynamically metastable GaInAsSb alloys for medium IR-range photodetectors
Autorzy :: Semenov, A. N.
Terent’ev, Ya. V.
Meltser, B. Ya.
Solov’ev, V. A.
Popova, T. V.
Nashchekin, A. V.
Andreev, I. A.
Kunitsyna, E. V.
Usikova, A. A.
Yakovlev, Yu. P.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. May 2010 44(5):672-677
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Fast-response p-i-n photodiodes for 0.9–2.4 μm wavelength range
Autorzy :: Andreev, I. A.
Serebrennikova, O. Yu.
Sokolovskii, G. S.
Kunitsyna, E. V.
Dyudelev, V. V.
Gadzhiev, I. M.
Deryagin, A. G.
Grebenshchikova, E. A.
Konovalov, G. G.
Mikhailova, M. P.
Il’inskaya, N. D.
Kuchinskii, V. I.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. May 2010 36(5):412-414
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Electrical properties of photodiodes based on p-GaSb/p-GaInAsSb/N-GaAlAsSb heterojunctions
Autorzy :: Ahmetoglu (Afrailov), M.
Kaynak, G.
Andreev, I. A.
Kunitsyna, E. V.
Mikhailova, M. P.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. November 2008 34(11):937-940
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Electrical properties of isotype N -GaAlAsSb type-II heterojunctions
Autorzy :: Ahmetoglu, M. A.
Andreev, I. A.
Kunitsyna, E. V.
Mikhailova, M. P.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2007 41(2):150-154
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: The effect of tellurium diffusion from an n-GaSb:Te substrate on the properties of GaInAsSb solid solutions grown from lead-containing melt
Autorzy :: Voronina, T. I.
Lagunova, T. S.
Lipaev, A. F.
Kunitsyna, E. V.
Parkhomenko, Ya. A.
Sipovskaya, M. A.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. March 2005 39(3):308-312
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Infrared light-emitting diodes based on GaInAsSb solid solutions grown from lead-containing solution-melts
Autorzy :: Astakhova, A. P.
Grebenshchikova, E. A.
Ivanov, É. V.
Imenkov, A. N.
Kunitsyna, E. V.
Parkhomenko, Ya. A.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. December 2004 38(12):1419-1425
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: High-efficiency GaInAsSb/GaAlAsSb photodiodes for 0.9-to 2.55-µm spectral range with a large-diameter active area
Autorzy :: Andreev, I. A.
Il’inskaya, N. D.
Kunitsyna, E. V.
Mikhailova, M. P.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. August 2003 37(8):949-954
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Influence of tellurium impurity on the Properties of Ga1−X InXAsYSb1−Y (X>0.22) solid solutions
Autorzy :: Voronina, T. I.
Lagunova, T. S.
Kunitsyna, E. V.
Parkhomenko, Ya. A.
Sipovskaya, M. A.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. August 2002 36(8):855-862
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Kunitsyna, E. V."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język