Autor: "L'vova, T. V." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""L'vova, T. V."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 38

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Synthesis of Hexagonal AlN and GaN Layers on a Si(100) Substrate by Chloride Vapor-Phase Epitaxy
Autorzy :: Bessolov, V. N.
Gushchina, E. V.
Konenkova, E. V.
Konenkov, S. D.
L’vova, T. V.
Panteleev, V. N.
Shcheglov, M. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics. 64(4):531-534
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Hexagonal AlN Layers Grown on Sulfided Si(100) Substrate
Autorzy :: Bessolov, V. N.
Gushchina, E. V.
Konenkova, E. V.Aff1, Aff2
L’vova, T. V.
Panteleev, V. N.
Shcheglov, M. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 44(1):81-83
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: Transition from Coulomb blockade to weak localization regime
Autorzy :: Bagraev, N. T.
Chaikina, E. I.
Danilovskii, E. Yu.
Gets, D. S.
Klyachkin, L. E.
L’vova, T. V.
Malyarenko, A. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. April 2016 50(4):466-477
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: The effect of sulfide passivation on luminescence from microdisks with quantum wells and quantum dots
Autorzy :: Kryzhanovskaya, N. V.
Lebedev, M. V.
L’vova, T. V.
Kudashova, Yu. V.
Shostak, I. I.
Moiseev, E. I.
Zhukov, A. E.
Maximov, M. V.
Kulagina, M. M.
Nadtochiy, A. M.
Troshkov, S. I.
Blokhin, A. A.
Bobrov, M. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. July 2015 41(7):654-657
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Electron auger spectroscopy and reflectance anisotropy spectroscopy of monolayer nitride films on (001) surfaces of GaAs and GaSb crystals
Autorzy :: Berkovits, V. L.
Gordeeva, A. B.
L’vova, T. V.
Ulin, V. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. November 2012 46(11):1432-1436
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Nitride chemical passivation of a GaAs (100) Surface: Effect on the electrical characteristics of Au/GaAs surface-barrier structures
Autorzy :: Berkovits, V. L.
L’vova, T. V.
Ulin, V. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. December 2011 45(12):1575-1579
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Sulfide passivation of InAs(100) substrates in Na2S solutions
Autorzy :: L’vova, T. V.
Sedova, I. V.
Dunaevskiĭ, M. S.
Karpenko, A. N.
Ulin, V. P.
Ivanov, S. V.
Berkovits, V. L.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. June 2009 51(6):1114-1120
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: InSb/InAsSb nanostructures for Mid-IR optoelectronics
Autorzy :: Ivanov, S. V.
Solov’ev, V. A.
Semenov, A. N.
Mel’tser, B. Ya.
Sorokin, S. V.
Lyublinskaya, O. G.
Terent’ev, Ya. V.
Usikova, A. A.
L’vova, T. V.
Kop’ev, P. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. January 2007 71(1):81-84
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Wet chemical nitridation of (100)GaAs surface: Effect on electrical parameters of surface-barrier Au-Ti/GaAs structures
Autorzy :: L’vova, T. V.
Berkovits, V. L.
Dunaevskii, M. S.
Lantratov, V. M.
Makarenko, I. V.
Ulin, V. P.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. August 2003 37(8):931-935
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Sulfide passivating coatings on GaAs(100) surface under conditions of MBE growth of 〈II–VI〉/GaAs
Autorzy :: Sedova, I. V.
L’vova, T. V.
Ulin, V. P.
Sorokin, S. V.
Ankudinov, A. V.
Berkovits, V. L.
Ivanov, S. V.
Kop’ev, P. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. January 2002 36(1):54-59
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Optical anisotropy of the (100) surfaces in AlxGa1−x As ternary compounds
Autorzy :: Berkovits, V. L.
Gordeeva, A. B.
Lantratov, V. M.
L’vova, T. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. May 2000 42(5):981-986
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Sulfide passivation of InAs(100) substrates in Na2S solutions.
Autorzy :: L'vova, T. V.
Sedova, I. V.
Dunaevskiĭ, M. S.
Karpenko, A. N.
Ulin, V. P.
Ivanov, S. V.
Berkovits, V. L.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. Jun2009, Vol. 51 Issue 6, p1114-1120. 7p. 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Sulfide Passivating Coatings on GaAs(100) Surface under Conditions of MBE Growth of /GaAs.
Autorzy :: Sedova, I. V.
L’vova, T. V.
Ulin, V. P.
Sorokin, S. V.
Ankudinov, A. V.
Berkovits, V. L.
Ivanov, S. V.
Kop’ev, P. S.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. Jan2002, Vol. 36 Issue 1, p54. 6p.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: MBE growth and studies of hybrid heterostructures with II-VI/InAs heterovalent interfaces in the active region.
Autorzy :: Lyublinskaya, O. G.
Kaygorodov, V. A.
Sorokin, S. V.
Sedova, I. V.
Koryakov, I. V.
L'vova, T. V.
Berkovits, V. L.
Meltser, B. Ya.
Solov'ev, V. A.
Terent'ev, Ya. V.
Toropov, A. A.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Physica Status Solidi (C); 2004, Vol. 1 Issue 4, p799-802, 4p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Optical Anisotropy of the (100) Surfaces in Al[sub x]Ga[sub 1 – ][sub x]As Ternary Compounds.
Autorzy :: Berkovits, V. L.
Gordeeva, A. B.
Lantratov, V. M.
L’vova, T. V.; Pokaż więcej
Temat :: ANISOTROPY
REFLECTANCE spectroscopy
ALUMINUM compounds
GALLIUM arsenide
Źródło :: Physics of the Solid State; May2000, Vol. 42 Issue 5, p981, 6p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Sulfide passivation of GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb photodiode heterostructures.
Autorzy :: Andreev, I. A.
Kunitsyna, E. V.
Lantratov, V. M.
L’vova, T. V.
Mikhaılova, M. P.
Yakovlev, Yu. P.; Pokaż więcej
Temat :: PHOTODIODES
HETEROSTRUCTURES
GALLIUM
OPTOELECTRONICS
Źródło :: Semiconductors; Jun97, Vol. 31 Issue 6, p556, 4p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Chemical and photochemical processes in sulfide passivation of GaAs(100): In situ optical study and photoemission analysis.
Autorzy :: Berkovits, V. L.
Ulin, V. P.
Paget, D.
Bonnet, J. E.
L'vova, T. V.
Chiaradia, P.
Lantratov, V. M.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1998, Vol. 16 Issue 4, p2528-2538, 11p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Asymmetric AlAsSb/InAs/CdMgSe quantum wells grown by molecular-beam epitaxy.
Autorzy :: Ivanov, S. V.
Lyublinskaya, O. G.
Vasilyev, Yu B.
Kaygorodov, V. A.
Soroki, S. V.
Sedova, I. V.
Solov'ev, V. A.
Meltser, B. Ya.
Sitnikova, A. A.
L'vova, T. V.
Berkovits, V. L.
Toropov, A. A.
Kop'ev, P. S.; Pokaż więcej
Temat :: QUANTUM wells
PARTICLES (Nuclear physics)
FLUCTUATIONS (Physics)
ELECTRON gas
MAGNETIC fields
ELECTRON distribution
Źródło :: Applied Physics Letters; 6/7/2004, Vol. 84 Issue 23, p4777-4779, 3p, 1 Diagram, 2 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 38

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""L'vova, T. V."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język