- Tytuł:
- Synthesis of Hexagonal AlN and GaN Layers on a Si(100) Substrate by Chloride Vapor-Phase Epitaxy
- Autorzy:
- Źródło:
- Technical Physics. 64(4):531-534
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.