- Tytuł:
- Gate capacitance effect on P-type tunnel thin-film transistor with TiN/HfZrO2 gate stack
- Autorzy:
- Źródło:
- In Thin Solid Films 1 March 2020 697
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.