Autor: "Lugauer, H. -J." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Impact of carrier localization and diffusion on photoluminescence in highly excited cyan and green InGaN LED structures
Autorzy :: Nomeika, K.; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Luminescence August 2017 188:301-306
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Differential carrier lifetime in InGaN-based light-emitting diodes obtained by small-signal frequency-domain measurements.
Autorzy :: Reklaitis, I.
Nippert, F.
Kudžma, R.
Malinauskas, T.
Karpov, S.
Pietzonka, I.
Lugauer, H. J.
Strassburg, M.
Vitta, P.
Tomašiūnas, R.
Hoffmann, A.; Pokaż więcej
Temat :: LIGHT emitting diodes
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTRUM analysis
ELECTROMAGNETIC waves
AUGER electron spectroscopy
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 121 Issue 3, p1-6, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: REDUCTION OF SURFACE ROUGHNESS BY MODIFICATION OF STEP-BUNCHED ALUMINUM NITRIDE LAYERS TOWARDS STEP-FLOW MORPHOLOGY.
Autorzy :: Tillner, N.
Brandl, C.
Hoffmann, M. P.
Moser, R.
Waag, A.
Lugauer, H. -J.; Pokaż więcej
Temat :: ALUMINUM nitride
SURFACE morphology
MORPHOLOGY
ELECTROLUMINESCENCE
EPITAXY
Alternatywny tytuł :: PAVIRŠIAUS ŠIURKŠTUMO MAŽINIMAS KEIČIANT ALIUMINIO NITRIDOSLUOKSNIŲ LAIPTELIŲ SANKAUPAS TOLYGIU LAIPTELIŲ IŠSIDĖSTYMU. (Lithuanian)
Źródło :: Lithuanian Journal of Physics; 2019, Vol. 59 Issue 4, p193-200, 8p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Transport and capture properties of Auger-generated high-energy carriers in (AlInGa)N quantum well structures.
Autorzy :: Nirschl, A.
Binder, M.
Schmid, M.
Karow, M. M.
Pietzonka, I.
Lugauer, H.-J.
Zeisel, R.
Sabathil, M.
Bougeard, D.
Galler, B.; Pokaż więcej
Temat :: LIGHT emitting diodes
QUANTUM theory
TWO-dimensional materials (Nanotechnology)
ENERGY-band theory of solids
POTENTIAL theory (Physics)
QUANTUM wells
THERMAL properties
Źródło :: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 3, p033103-1-033103-6, 6p, 2 Diagrams, 3 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Influence of an in situ-deposited [formula omitted] intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates
Autorzy :: Engl, K.; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Crystal Growth 2006 289(1):6-13
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Blue-green ZnSe lasers with a new type of active region
Autorzy :: Ivanov, S. V.
Toropov, A. A.
Sorokin, S. V.
Shubina, T. V.
Sedova, I. V.
Kop’ev, P. S.
Alferov, Zh. I.
Waag, A.
Lugauer, H. J.
Reuscher, G.
Keim, M.
Fischer, F. F.
Landwehr, G.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. September 1999 33(9):1016-1020
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Molecular beam epitaxy of alternating-strain ZnSe-based multilayer heterostructures for blue-green lasers
Autorzy :: Ivanov, S. V.
Toropov, A. A.
Sorokin, S. V.
Shubina, T. V.
Il’inskaya, N. D.
Lebedev, A. V.
Sedova, I. V.
Kop’ev, P. S.
Alferov, Zh. I.
Lugauer, H. -J.
Reuscher, G.
Keim, M.
Fischer, F.
Waag, A.
Landwehr, G.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. October 1998 32(10):1137-1140
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Industrial production of GaN and InGaN-light emitting diodes on SiC-substrates
Autorzy :: Zehnder, U.
Weimar, A.
Strauss, U.
Fehrer, M.
Hahn, B.
Lugauer, H.-J.
Härle, V.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the Fourth European Workshop on Gallium Nitride, Journal of Crystal Growth 2001 230(3):497-502
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Influence of strain on growth mode and electro-optical properties of high-brightness InGaN-LEDs on SiC
Autorzy :: Baur, J.
Strauss, U.
Bruederl, G.
Eisert, D.
Oberschmid, R.
Hahn, B.
Lugauer, H.-J.
Bader, S.
Zehnder, U.
Fehrer, M.
Härle, V.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the Fourth European Workshop on Gallium Nitride, Journal of Crystal Growth 2001 230(3):507-511
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates.
Autorzy :: Gmeinwieser, N.
Engl, K.
Gottfriedsen, P.
Schwarz, U. T.
Zweck, J.
Wegscheider, W.
Miller, S.
Lugauer, H.-J.
Leber, A.
Weimar, A.
Lell, A.
Härle, V.; Pokaż więcej
Temat :: SPECTRUM analysis
PARTICLES (Nuclear physics)
ELECTRON microscopy
ELECTRON microscopes
SCANNING electron microscopes
TRANSMISSION electron microscopy
OPTICS
GALLIUM nitride
Źródło :: Journal of Applied Physics; 10/1/2004, Vol. 96 Issue 7, p3666-3672, 7p, 3 Black and White Photographs, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Lugauer, H. -J."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język