- Tytuł:
- Dynamic FET-based memristor with relaxor antiferroelectric HfO2 gate dielectric for fast reservoir computing
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Today Nano August 2023 23
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.