Autor: "Lv, Hongliang" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Multi-state tunnel field effect transistor based on face tunneling with gate-source overlap
Autorzy:: Sun, Jiale
Zhang, Yuming
Lv, Hongliang
Lyu, Zhijun
Lu, Bin
Zhu, Yi
Pan, Yuche; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics March 2023 201

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Growth and characterization of nitrogen-phosphorus hybrid passivated gate oxide film on N-type 4H-SiC epilayer
Autorzy:: Jia, Yifan
Lv, Hongliang
Tang, Xiaoyan
Han, Chao
Song, Qingwen
Zhang, Yimen
Zhang, Yuming
Dimitrijev, Sima
Han, Jisheng; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1 February 2019 507:98-102

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Study on the asymmetry of nanopore in Al droplet etching
Autorzy:: Shen, JiaxinAff1, Aff2, Aff4
Lv, Hongliang
Ni, HaiqiaoAff2, Aff3, Aff4
Liu, HanqingAff2, Aff3, Aff4
Su, XiangbinAff2, Aff3, Aff4
Zhang, Jing
Shang, XiangjunAff2, Aff3, Aff4
Zhuo, ZhiyaoAff2, Aff7
Li, ShulunAff2, Aff3, Aff4
Chen, YaoAff2, Aff4, Aff6
Sun, BaoquanAff2, Aff7
Zhang, YuAff2, Aff3, Aff4
Niu, ZhichuanAff2, Aff3, Aff4; Pokaż więcej
Źródło:: Optical and Quantum Electronics. 53(8)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Novel modulation method for torque ripple suppression of brushless DC motors based on SIMO DC–DC converter
Autorzy:: Sun, Shikai
Guo, Hui
Zhang, Yimeng
Jia, Yupeng
Lv, Hongliang
Song, Qingwen
Tang, Xiaoyan
Zhang, Yuming; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Power Electronics. 20(3):720-730

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Influence of oxidation temperature on the interfacial properties of n-type 4H-SiC MOS capacitors
Autorzy:: Jia, Yifan
Lv, Hongliang
Song, Qingwen
Tang, Xiaoyan
Xiao, Li
Wang, Liangyong
Tang, Guangming
Zhang, Yimen
Zhang, Yuming; Pokaż więcej
Źródło:: In Applied Surface Science 1 March 2017 397:175-182

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Novel modulation method for torque ripple suppression of brushless DC motors based on SIMO DC–DC converter
Autorzy:: Sun, Shikai
Guo, Hui
Zhang, Yimeng
Jia, Yupeng
Lv, Hongliang
Song, Qingwen
Tang, Xiaoyan
Zhang, Yuming; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Power Electronics; 20240101, Issue: Preprints p1-11, 11p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Influence of various NO annealing conditions on N-type and P-type 4H-SiC MOS capacitors
Autorzy:: Jia, Yifan
Lv, Hongliang
Tang, Xiaoyan
Han, Chao
Song, Qingwen
Zhang, Yimen
Zhang, Yuming
Dimitrijev, SimaAff2, Aff3
Han, Jisheng
Haasmann, Daniel; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 30(11):10302-10310

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Comparison of HfAlO, HfO2/Al2O3, and HfO2 on n-type GaAs using atomic layer deposition
Autorzy:: Lu, Bin
Lv, Hongliang
Zhang, Yuming
Zhang, Yimen
Liu, Chen; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures November 2016 99:54-57

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Comparative study of atomic-layer-deposited HfO2/Al2O3, Hf0.8Al0.2Ox and Hf0.5Al0.5Ox on N-GaAs
Autorzy:: Yu, Xinjiang
Lv, Hongliang
Zhang, Yuming
Zhang, Yimen
Qin, Zaiyang; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures November 2016 99:58-61

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: High temperature characterization of normally-on 4H-SiC junction field-effect transistor
Autorzy:: Zhang, Yimeng
Tang, Meiyan
Song, Qingwen
Tang, Xiaoyan
Lv, Hongliang
Liu, Sicheng; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures November 2016 99:113-117

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Improved modeling on the RF behavior of InAs/AlSb HEMTs
Autorzy:: Guan, He
Lv, Hongliang
Zhang, Yuming
Zhang, Yimen; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics December 2015 114:155-162

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Comparative study on slow-state near interface hole traps in NO and Ar annealed N-type 4H-SiC MOS capacitors by ultraviolet light
Autorzy:: Jia, Yifan
Lv, Hongliang
Tang, Xiaoyan
Song, Qingwen
Zhang, Yimen
Zhang, Yuming
Dimitrijev, SimaAff2, Aff3
Han, Jisheng; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 29(16):14292-14299

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Induction of hexanol dehydrogenase in Geotrichum spp. by the addition of hexanol
Autorzy:: Zhang, Jinhua
Shi, Junling
Lv, Hongliang
Liu, Yanlin; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Microbiology and Biotechnology. February 2013 97(3):1279-1287

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Occurrence and Distribution of Chlorobenzenes in the Tonghui River of Beijing, China
Autorzy:: Zhou, Xia
Deng, Shubo
Huang, Jun
Yu, Gang
Lv, Hongliang; Pokaż więcej
Źródło:: Archives of Environmental Contamination and Toxicology. July 2009 57(1):32-41

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Lv, Hongliang"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji