- Tytuł:
- Device Simulations on Novel High Channel Mobility 4H-SiC Trench MOSFETs and Their Fabrication Processes
- Autorzy:
- Źródło:
- In Microelectronic Engineering 1 September 2015 145:166-169
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.