Temat: "METAL oxide semiconductor field-effect transistors" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Carbon Covering Method to Enhance the Storage Capacity of Materials Belonging to the Conversion and Alloy Storage Types.
Autorzy:: Mu, Yuan
Li, Jianke
Wang, Kun
Xu, Guiying
An, Baigang
Zhou, Weimin; Pokaż więcej
Temat:: CARBON-based materials
ENERGY storage
SILICON alloys
NEGATIVE electrode
METALLIC oxides
TIN alloys
COMPOSITE materials
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: ChemElectroChem; Apr2024 Supplement 1, Vol. 11, p1-15, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Signal dynamic range expansion and power supply voltage reduction for an exponentiation conversion IC.
Autorzy:: Nishiyama, Naoya
Matsui, Fumiya
Sano, Yuji; Pokaż więcej
Temat:: POWER resources
EXPONENTIATION
VOLTAGE
CHARACTERISTIC functions
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Analog Integrated Circuits & Signal Processing; Apr2024, Vol. 119 Issue 1, p185-194, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Reliable and ultra-low power approach for designing of logic circuits.
Autorzy:: Haq, Shams Ul
Sharma, Vijay Kumar; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
LOGIC circuit design
FIELD-effect transistors
LOGIC circuits
Źródło:: Analog Integrated Circuits & Signal Processing; Apr2024, Vol. 119 Issue 1, p85-95, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Full integration of highly stretchable inorganic transistors and circuits within molecular-tailored elastic substrates on a large scale.
Autorzy:: Kang, Seung-Han
Jo, Jeong-Wan
Lee, Jong Min
Moon, Sanghee
Shin, Seung Bum
Choi, Su Bin
Byeon, Donghwan
Kim, Jaehyun
Kim, Myung-Gil
Kim, Yong-Hoon
Kim, Jong-Woong
Park, Sung Kyu; Pokaż więcej
Temat:: TRANSISTOR circuits
LOGIC circuits
FREQUENCIES of oscillating systems
LIQUID metals
BRITTLENESS
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
TRANSISTORS
Źródło:: Nature Communications; 4/1/2024, Vol. 15 Issue 1, p1-12, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Nanoforming of transferred metal contacts for enhanced two-dimensional field effect transistors.
Autorzy:: Xu, Shuoheng
Huang, Zheng
Guan, Jie
Hu, Yaowu; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
TRANSITION metal chalcogenides
ATOMIC force microscopy
TRANSMISSION electron microscopy
DENSITY functional theory
TRANSISTORS
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Nano Research; Apr2024, Vol. 17 Issue 4, p3210-3216, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: High‐Temperature and High‐Electron Mobility Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistors Based on N‐Type Diamond.
Autorzy:: Liao, Meiyong
Sun, Huanying
Koizumi, Satoshi; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
CMOS integrated circuits
WIDE gap semiconductors
DIAMONDS
CALCIUM channels
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
CHARGE carrier mobility
Źródło:: Advanced Science; 4/3/2024, Vol. 11 Issue 13, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Investigation of a Gate Stack Gate-All-Around Junctionless Nanowire Field-Effect Transistor for Oxygen Gas Sensing.
Autorzy:: Chaujar, Rishu
Yirak, Mekonnen Getnet; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
THRESHOLD voltage
NANOWIRES
OXYGEN detectors
GAS detectors
METALWORK
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Apr2024, Vol. 53 Issue 4, p2191-2201, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: The Effect of Low-Temperature Annealing on the Electrical Characteristics of Carbon Nanotube Network Field-Effect Transistors.
Autorzy:: Altuntas, Halit
Oke-Altuntas, Feyza
Silva, S. R. P.; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
CARBON nanotubes
ANNEALING of metals
THRESHOLD voltage
TRANSISTORS
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
HYSTERESIS
Źródło:: Journal of Electronic Materials; Apr2024, Vol. 53 Issue 4, p2104-2114, 11p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Research and analysis of electromagnetic interference of a motor drive control system based on PMSM with SiC MOSFET for new energy electric vehicles.
Autorzy:: Chi Zhang
Jasni, Jasronita
Mohd Radzi, Mohd Amran
Azis, Norhafiz
Xiangming He; Pokaż więcej
Temat:: ELECTROMAGNETIC interference
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
PERMANENT magnet motors
WIDE gap semiconductors
FIELD-effect transistors
HYBRID electric vehicles
ELECTRIC vehicles
Źródło:: Frontiers in Energy Research; 2024, p01-13, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Monolithic Integration of GaN-Based Transistors and Micro-LED.
Autorzy:: He, Honghui
Huang, Jinpeng
Tao, Tao
Zhi, Ting
Zhang, Kaixin
Zhuang, Zhe
Yan, Yu
Liu, Bin; Pokaż więcej
Temat:: MANUFACTURING processes
TRANSISTORS
RESEARCH personnel
THIN film transistors
ENERGY consumption
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Mar2024, Vol. 14 Issue 6, p511, 18p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Design of Lossless Negative Capacitance Multiplier Employing a Single Active Element.
Autorzy:: Vahbeh, Mutasem
Özer, Emre
Kaçar, Fırat; Pokaż więcej
Temat:: ELECTRIC capacity
OPERATIONAL amplifiers
INTEGRATED circuits
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
IMAGE compression
CAPACITORS
Źródło:: Electronics (2079-9292); Mar2024, Vol. 13 Issue 6, p1163, 20p
Przedsiębiorstwo/ jednostka:: INTERNATIONAL Business Machines Corp.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Radiation Effects of Advanced Electronic Devices and Circuits.
Autorzy:: Chi, Yaqing
Cai, Chang
Cai, Li; Pokaż więcej
Temat:: MACHINE learning
SOFT errors
ELECTRONIC equipment
ELECTRONIC circuits
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
DEEP learning
CARBON nanotube field effect transistors
POLAR effects (Chemistry)
Źródło:: Electronics (2079-9292); Mar2024, Vol. 13 Issue 6, p1073, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Nb2O5 nanocrystals decorated graphene composites as anode materials for high-performance dual-ion batteries.
Autorzy:: Wang, Lei
Huang, Fei
Zhu, Guoyin
Dai, Zhihui; Pokaż więcej
Temat:: COMPOSITE materials
TRANSITION metal oxides
GRAPHENE
X-ray photoelectron spectroscopy
REVERSIBLE phase transitions
NANOCRYSTALS
GLASS-ceramics
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Nano Research; Mar2024, Vol. 17 Issue 3, p1535-1541, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Multi-Layer Palladium Diselenide as a Contact Material for Two-Dimensional Tungsten Diselenide Field-Effect Transistors.
Autorzy:: Murastov, Gennadiy
Aslam, Muhammad Awais
Leitner, Simon
Tkachuk, Vadym
Plutnarová, Iva
Pavlica, Egon
Rodriguez, Raul D.
Sofer, Zdenek
Matković, Aleksandar; Pokaż więcej
Temat:: FIELD-effect transistors
PALLADIUM
TUNGSTEN
SEMICONDUCTOR materials
CONDUCTION bands
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Mar2024, Vol. 14 Issue 5, p481, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Glassy-like Transients in Semiconductor Nanomaterials.
Autorzy:: Balberg, Isaac; Pokaż więcej
Temat:: NANOSTRUCTURED materials
ELECTRIC transients
SEMICONDUCTORS
QUANTUM dots
ENERGY dissipation
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Mar2024, Vol. 14 Issue 5, p471, 32p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: A conceptual study on novel current mirror integrated cantilever (CMIC) mass sensor for micro-gram (μg) range sensing applications.
Autorzy:: Tetseo, Menuvolu
Gogoi, Kalpana
Kumar, Shashi
Kumar, Gaurav
Rangababu, Peesapati
Singh, Akhilrendra Pratap
Rathore, Pradeep Kumar; Pokaż więcej
Temat:: CANTILEVERS
METAL oxide semiconductor field-effect transistor circuits
MIRRORS
DETECTORS
COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
TRANSISTORS
Źródło:: Microsystem Technologies; Mar2024, Vol. 30 Issue 3, p263-275, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: A GHz‐level memristor emulator with only MOSFET.
Autorzy:: Zhou, Lei
Wang, Chune
Chen, Xiaozhong; Pokaż więcej
Temat:: POWER resources
MEMRISTORS
TRANSISTORS
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: International Journal of Circuit Theory & Applications; Mar2024, Vol. 52 Issue 3, p1450-1464, 15p
Przedsiębiorstwo/ jednostka:: TAIWAN Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Analytical and experimental studies on improved performance high frequency multiphase synchronous DC-DC converter using SiC MOSFETs and coupled inductors.
Autorzy:: Banerjee, Gourab
Dey, Arnab
Sengupta, Mainak; Pokaż więcej
Temat:: ROTARY converters
DC-to-DC converters
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
SILICON carbide
PERFORMANCE theory
PARAMETER estimation
Źródło:: Sādhanā: Academy Proceedings in Engineering Sciences; Mar2024, Vol. 49 Issue 1, p1-6, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Temperature dependence of ESD effects on 28 nm FD‐SOI MOSFETs.
Autorzy:: Xiao, Yiping
Liu, Chaoming
Zhang, Yanqing
Qi, Chunhua
Ma, Guoliang
Wang, Tianqi
Huo, Mingxue; Pokaż więcej
Temat:: ELECTROSTATIC discharges
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
BREAKDOWN voltage
TEMPERATURE
TEMPERATURE effect
Źródło:: Engineering Reports; Mar2024, Vol. 6 Issue 3, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Design of Half-Bridge Switching Power Module Based on Parallel-Connected SiC MOSFETs for LLC Resonant Converter with Symmetrical Structure and Low Parasitic Inductance.
Autorzy:: Park, Hae-Chan
Min, Sung-Soo
Lee, Jeong-Ho
Park, Su-Seong
Lee, Sang-Hyeok
Kim, Rae-Young; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
ELECTRIC inductance
PRINTED circuits
PHONONIC crystals
HIGH temperatures
Źródło:: Electronics (2079-9292); Mar2024, Vol. 13 Issue 5, p937, 18p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""METAL oxide semiconductor field-effect transistors"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język