Temat: "METAL oxide semiconductor field-effect transistors" - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""METAL oxide semiconductor field-effect transistors"" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-20 z 847

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: new PRODUCTS.
Źródło:: Military & Aerospace Electronics. May2020, Vol. 31 Issue 5, p41-44. 4p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Rugged SiC MOSFETs for use in harsh environments introduced by Infineon.
Źródło:: Military & Aerospace Electronics. Jul2022, Vol. 33 Issue 7, p39-39. 1/4p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: COST-REDUCTION AND SIMPLIFICATION: 1000A high-current RDSon static parameter DC testing vs. pulse testing at 300μs.
Autorzy:: Degenhart, Christian; Pokaż więcej
Źródło:: EE: Evaluation Engineering. May2019, Vol. 58 Issue 5, p18-21. 4p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Solid-state lasers challenge excimers in IC processing.
Autorzy:: Flores, James
Droes, Steve
Joshi, Pooran
Crowder, Mark A.
Voutsas, Tolis; Pokaż więcej
Źródło:: Laser Focus World. Jul2002, Vol. 38 Issue 7, p85. 4p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: WHAT'S ALL THIS SOLENOID DRIVER STUFF, ANYHOW?
Autorzy:: RAKO, PAUL; Pokaż więcej
Temat:: SOLENOIDS
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
ELECTRIC potential
CURRENTS (Calculus of variations)
RELAY control systems
Źródło:: Electronic Design. 10/17/2013, Vol. 61 Issue 12, p48-53. 6p. 2 Color Photographs, 2 Diagrams, 6 Graphs.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Power Efficient MOSFET.
Źródło:: New Equipment Digest. Oct2021, Vol. 86 Issue 10, p13-13. 1/9p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Electronic loads--a new generation.
Autorzy:: Pitel, Ira J.; Pokaż więcej
Źródło:: EE: Evaluation Engineering. Apr2018, Vol. 57 Issue 4, p18-21. 3p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: IMPROVED POWER ICs GIVE SUPPLY DESIGNERS MORE BANG FOR THE BUCK.
Autorzy:: ALLAN, ROGER; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
BIPOLAR transistors
INDUCTION heating
HOUSEHOLD electronics industry
FIELD-effect transistors
Źródło:: Electronic Design. 3/7/2013, Vol. 61 Issue 3, p42-46. 5p. 3 Color Photographs, 1 Diagram, 2 Graphs.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: U.S.MILITARY embraces COMMERCIAL TECHNOLOGY.
Autorzy:: Tuite, Don; Pokaż więcej
Temat:: INTERNATIONAL Rectifier Corp.
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
FIELD programmable gate arrays
HIGH technology industries
INTEGRATED circuits
Źródło:: Electronic Design. 7/21/2005, Vol. 53 Issue 16, p47-54. 5p. 2 Color Photographs, 1 Diagram.
Terminy geograficzne:: LEOMINSTER (Mass.)
MASSACHUSETTS

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Calculate Dissipation For MOSFETs In High-Power Supplies.
Autorzy:: Keagy, Mike; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
ENERGY dissipation
HIGH performance processors
Źródło:: Electronic Design. 10/14/2002, Vol. 50 Issue 21, p63. 5p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: MOSFET selection is key to successful DC-DC conversion.
Autorzy:: McDaniel; Pokaż więcej
Temat:: ELECTRIC current converters
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Electronic Design. 12/06/99, Vol. 47 Issue 25, p158. 5p. 3 Diagrams, 4 Graphs.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Innovative packages maximize MOSFETs' thermal performance.
Autorzy:: Bindra, Ashok; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
VISHAY Siliconix Inc.
INTERNATIONAL Rectifier Corp.
PHILLIPS Semiconductors Inc.
Źródło:: Electronic Design. 05/17/99, Vol. 47 Issue 10, p52. 5p. 1 Color Photograph, 2 Diagrams.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: MOSFETs break out of the shackles of wirebonding. (cover story)
Autorzy:: Mannion, Patrick; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
INTERNATIONAL Rectifier Corp.
Źródło:: Electronic Design. 03/22/99, Vol. 47 Issue 6, p36. 4p. 3 Diagrams, 1 Graph.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: EXPERT MOSFET SELECTION: UTILIZING A POWER BUDGET.
Autorzy:: Goldman, Steven J.
Schoiswohl, Johannes; Pokaż więcej
Temat:: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
TRANSISTOR design & construction
STATISTICAL power analysis
METALLIC oxides
SEMICONDUCTORS
Źródło:: Electronic Design. 2/10/2011, Vol. 59 Issue 2, p68-74. 6p. 1 Chart, 2 Graphs.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: eGaN® FET- Silicon Power Shoot Out Volume 12: Optimizing Dead Time.
Autorzy:: STRYDOM, JOHAN
REUSCH, DAVID; Pokaż więcej
Źródło:: Power Electronics Technology. Jan2013, Vol. 39 Issue 1, p16-21. 6p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Semiconductor Back-to-Basics: Power MOSFETs.
Autorzy:: Davis, Sam; Pokaż więcej
Źródło:: Power Electronics Technology. Sep2012, Vol. 38 Issue 9, p21-45. 7p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: MOSFET Selection For Switching Power Supply Systems.
Autorzy:: Perry, Jeff; Pokaż więcej
Źródło:: Power Electronics Technology. Apr2012, Vol. 38 Issue 4, p26-30. 5p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Surge Stopper IC Protects Loads From >500V Power Supply Surges.
Autorzy:: Davis, Sam; Pokaż więcej
Źródło:: Power Electronics Technology. Mar2012, Vol. 39 Issue 3, p22-26. 4p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Reducing Size, Complexity Of An Isolated Synchronous Gate Driver.
Autorzy:: KENNEDY, BRIAN; Pokaż więcej
Źródło:: Power Electronics Technology. Oct2011, Vol. 37 Issue 10, p31-34. 4p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Demystifying Avalanche Ruggedness of MOSFETs.
Autorzy:: SHAH, HEMAL; Pokaż więcej
Źródło:: Power Electronics Technology. Aug2011, Vol. 37 Issue 8, p15-18. 4p.

Periodyk

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 847

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""METAL oxide semiconductor field-effect transistors"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Publikacja

Język

Rok publikacji