Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""METAL oxide semiconductors"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Controlling the relaxation mechanism of low strain Si1−xGex/Si(001) layers and reducing the threading dislocation density by providing a preexisting dislocation source.
Autorzy :
Becker, L.
Storck, P.
Schulz, T.
Zoellner, M. H.
Di Gaspare, L.
Rovaris, F.
Marzegalli, A.
Montalenti, F.
De Seta, M.
Capellini, G.
Schwalb, G.
Schroeder, T.
Albrecht, M.
Pokaż więcej
Temat :
DISLOCATION density
COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors
EDGE dislocations
DISLOCATION nucleation
BUFFER layers
DISLOCATIONS in crystals
Źródło :
Journal of Applied Physics; 12/7/2020, Vol. 128 Issue 21, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies