Temat: "METAL semiconductor field-effect transistors" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Performance analysis of heterojunction tunnel FET device with variable Temperature.
Autorzy:: Pindoo, Irfan Ahmad (AUTHOR)
Sinha, Sanjeet Kumar (AUTHOR)
Chander, Sweta (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Oct2021, Vol. 127 Issue 10, p1-10. 10p. 2 Charts, 13 Graphs.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Electron irradiation effects on InP-based HEMTs with different gate widths.
Autorzy:: Sun, S. X.
Fu, X. L.
Wang, L.
M. E.
Yi, J. J.
Yao, R. X.
Zheng, X. Y.
Wu, H. T.
Liu, F.
Zhong, Y. H.
Li, Y. X.
Ding, P.
Jin, Z.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Ovonic Research. Sep/Oct2021, Vol. 17 Issue 5, p411-420. 10p.

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Design of Si0.45Ge0.55-based core–shell-type dual-material dual-gate nanotube TFET with source pocket technique.
Autorzy:: Singh, Navaneet Kumar (AUTHOR)
Kar, R. (AUTHOR)
Mandal, D. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Apr2021, Vol. 127 Issue 4, p1-12. 12p. 2 Color Photographs, 3 Charts, 19 Graphs.

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Investigation of Pd|HfO2|AlGaN|GaN Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistor with Sensitization, Activation, and Electroless-Plating Approaches.
Autorzy:: Lin, Y.-C. (AUTHOR)
Niu, J.-S. (AUTHOR)
Liu, W.-C. (AUTHOR)
Tsai, J.-H. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Jul2020, Vol. 54 Issue 7, p803-810. 8p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Implementation and performance analysis of QPSK system using pocket double gate asymmetric JLTFET for satellite communications.
Autorzy:: Boggarapu, Lokesh
B, Lakshmi; Pokaż więcej
Temat:: QUADRATURE phase shift keying
TELECOMMUNICATION satellites
COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors
FIELD-effect transistors
METAL semiconductor field-effect transistors
STRAY currents
TEMPERATURE inversions
Źródło:: Scientific Reports; 2/21/2023, Vol. 13 Issue 1, p1-15, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Effect of Passivation Layers Permittivity on DC and RF Parameters of GaN MESFETs.
Autorzy:: Abdaoui, N.
Hadjoub, I.
Doghmanea, A.
Abida, L.
Hadjoub, Z.; Pokaż więcej
Temat:: METAL semiconductor field-effect transistors
PASSIVATION
POWER density
PERMITTIVITY
CAPACITANCE measurement
Źródło:: Indian Journal of Pure & Applied Physics; Feb2023, Vol. 61 Issue 2, p132-139, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: A Simulation Optimization Factor of Si(111)-Based AlGaN/GaN Epitaxy for High Frequency and Low-Voltage-Control High Electron Mobility Transistor Application.
Autorzy:: Guan, He
Shen, Guiyu
Liu, Shibin
Jiang, Chengyu
Wu, Jingbo; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
EPITAXY
METAL semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Micromachines; Jan2023, Vol. 14 Issue 1, p168, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Tuning the electron transport behavior at Li/LATP interface for enhanced cyclability of solid-state Li batteries.
Autorzy:: Luo, Linshan
Zheng, Feng
Gao, Haowen
Lan, Chaofei
Sun, Zhefei
Huang, Wei
Han, Xiang
Zhang, Ziqi
Su, Pengfei
Wang, Peng
Guo, Shengshi
Lin, Guangyang
Xu, Jianfang
Wang, Jianyuan
Li, Jun
Li, Cheng
Zhang, Qiaobao
Wu, Shunqing
Wang, Ming-Sheng
Chen, Songyan; Pokaż więcej
Temat:: SOLID electrolytes
DENSITY functional theory
ELECTRON transport
METAL semiconductor field-effect transistors
LITHIUM-ion batteries
Źródło:: Nano Research; Jan2023, Vol. 16 Issue 1, p1634-1641, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Improvement of transconductance and cut-off frequency in In0.1Ga0.9N back-barrier-based double-channel Al0.3Ga0.7N / GaN high electron mobility transistor by enhancing the drain source contact length ratio.
Autorzy:: Mohapatra, Rachita (AUTHOR)
Dutta, Pradipta (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Pramana: Journal of Physics. 2020, Vol. 94 Issue 1, p1-7. 7p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Damaged mechanism analysis of FET under lightning.
Autorzy:: Li, Xiangchao (AUTHOR)
Ma, Xiaoqi (AUTHOR)
Liu, Yinping (AUTHOR)
Wan, Zhicheng (AUTHOR)
Cai, Lujin (AUTHOR)
Xu, Xiaopei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Applied Electromagnetics & Mechanics. 2019, Vol. 61 Issue 2, p171-183. 13p.

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Thermal property evaluation of a 2.5D integration method with device level microchannel direct cooling for a high-power GaN HEMT device.
Autorzy:: Lian, Tingting
Xia, Yanming
Wang, Zhizheng
Yang, Xiaofeng
Fu, Zhiwei
Kong, Xin
Lin, Shuxun
Ma, Shenglin; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
THERMAL properties
INDIUM gallium zinc oxide
METAL semiconductor field-effect transistors
COOLING
Źródło:: Microsystems & Nanoengineering; 11/11/2022, Vol. 8 Issue 1, p1-9, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: 20.2 GHz‐µm fT–LG in InAlN/GaN‐on‐Si High Electron Mobility Transistors.
Autorzy:: Charan, Vanjari Sai
Muralidharan, Rangarajan
Raghavan, Srinivasan
Nath, Digbijoy N.; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
METAL semiconductor field-effect transistors
TRANSISTORS
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Nov2022, Vol. 219 Issue 21, p1-5, 5p
Przedsiębiorstwo/ jednostka:: LG Corp.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Correlated nanoelectronics and the second quantum revolution.
Autorzy:: Levy, J.; Pokaż więcej
Temat:: ELECTRON beam lithography
MESOSCOPIC devices
NANOELECTRONICS
QUANTUM coherence
ATOMIC force microscopes
METAL semiconductor field-effect transistors
Źródło:: APL Materials; 11/1/2022, Vol. 10 Issue 11, p1-8, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: MoS2 Transistor with Weak Fermi Level Pinning via MXene Contacts.
Autorzy:: Chen, Ruo‐Si
Ding, Guanglong
Feng, Zihao
Zhang, Shi‐Rui
Mo, Wen‐Ai
Han, Su‐Ting
Zhou, Ye; Pokaż więcej
Temat:: FERMI level
TRANSISTORS
METAL semiconductor field-effect transistors
SCHOTTKY barrier
FIELD-effect transistors
TRANSITION metals
Źródło:: Advanced Functional Materials; 10/21/2022, Vol. 32 Issue 43, p1-10, 10p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: A Novel Ring-Gate AlGaN/GaN HEMT Device and Electrode Structure Optimization.
Autorzy:: Zhu, Yanxu
Song, Xiaomeng
Li, Jianwei
Li, Jinheng
Fei, Baoliang
Li, Peiyang
Li, Fajun; Pokaż więcej
Temat:: METAL semiconductor field-effect transistors
INDIUM gallium zinc oxide
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTRODES
THRESHOLD voltage
Źródło:: Electronics (2079-9292); Oct2022, Vol. 11 Issue 20, p3329-N.PAG, 15p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Investigation of a 4H-SiC Trench MOSFET with Back-Side Super Junction.
Autorzy:: Zhang, Lili
Liu, Yuxuan
Fang, Junpeng
Liu, Yanjuan; Pokaż więcej
Temat:: TRENCHES
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
BREAKDOWN voltage
METAL semiconductor field-effect transistors
Źródło:: Micromachines; Oct2022, Vol. 13 Issue 10, p1770-N.PAG, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: LG 55 nm T‐gate InGaN/GaN channel based high electron mobility transistors for stable transconductance operation.
Autorzy:: Angamuthu, Revathy
ChettiaGoundar Sengodan, Boopathi
Anandan, Mohanbabu
Varghese, Arathy
Vakkalakula, Bharath Sreenivasulu; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
INDIUM gallium nitride
METAL semiconductor field-effect transistors
SILICON nitride
GALLIUM nitride
BREAKDOWN voltage
Źródło:: International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering; Oct2022, Vol. 32 Issue 10, p1-11, 11p
Przedsiębiorstwo/ jednostka:: LG Corp.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Design and Optimization of Novel Shaped FinFET.
Autorzy:: Kaur, Navneet
Rattan, Munish
Gill, Sandeep Singh; Pokaż więcej
Źródło:: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Apr2019, Vol. 44 Issue 4, p3101-3116. 16p.

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Investigation of Dosimetric Characteristics of a MOSFET Detector for Clinical Electron Beams.
Autorzy:: Dinç, Serap Çatlı
Hançer, Ceren
Demirci, Temur
Akmansu, Müge; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: MOSFET Dedektörün Dozimetrik Karakteristik Özelliklerinin Klinik Elektron Demetleri için İncelenmesi.
Źródło:: Gazi Medical Journal. 2019, Vol. 30 Issue 1, p48-51. 4p.

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Design Principles of Airborne Multibeam Receiving APAA Satellite Communication Systems.
Autorzy:: Efimov, A. G. (AUTHOR)
Kamenev, A. G. (AUTHOR)
Korneev, S. A. (AUTHOR)
Chistyukhin, V. V. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. Dec2021, Vol. 50 Issue 7, p562-565. 4p.

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""METAL semiconductor field-effect transistors"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język