Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""METAL semiconductor field-effect transistors"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-14 z 14
    Tytuł:
    LG 55 nm T‐gate InGaN/GaN channel based high electron mobility transistors for stable transconductance operation.
    Autorzy:
    Angamuthu, Revathy (AUTHOR)
    ChettiaGoundar Sengodan, Boopathi (AUTHOR)
    Anandan, Mohanbabu (AUTHOR)
    Varghese, Arathy (AUTHOR)
    Vakkalakula, Bharath Sreenivasulu (AUTHOR)
    Pokaż więcej
    Źródło:
    International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Oct2022, Vol. 32 Issue 10, p1-11. 11p.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Modeling MESFETs and HEMTs intermodulation distortion behavior using a generalized radial basis function network.
    Autorzy:
    García, J. A.
    Tazón Puente, A.
    Mediavilla Sánchez, A.
    Santamaría, I.
    Lázaro, M.
    Pantaleón, C. J.
    Pedro, J. C.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. May1999, Vol. 9 Issue 3, p261-276. 16p. 3 Diagrams, 2 Charts, 7 Graphs.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Experimental insight into the temperature effects on DC and microwave characteristics for a GaAs pHEMT in multilayer 3‐D MMIC technology.
    Autorzy:
    Alim, Mohammad Abdul
    Rezazadeh, Ali A.
    Crupi, Giovanni
    Pokaż więcej
    Temat:
    MODULATION-doped field-effect transistors
    TEMPERATURE effect
    MONOLITHIC microwave integrated circuits
    TRANSISTORS
    AUDITING standards
    METAL semiconductor field-effect transistors
    MICROWAVES
    Źródło:
    International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering; Oct2020, Vol. 30 Issue 10, p1-15, 15p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Neuro-space mapping modeling approach for trapping and self-heating effects on GaAs and GaN devices.
    Autorzy:
    Elhamadi, Taj‐eddin
    Boussouis, Mohamed
    Touhami, Naima Amar
    Lamsalli, Mohammed
    Pokaż więcej
    Temat:
    TRAPPING
    GALLIUM arsenide transistors
    MICROWAVE devices
    METAL semiconductor field-effect transistors
    MATHEMATICAL mappings
    Źródło:
    International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering; Aug2017, Vol. 27 Issue 6, pn/a-N.PAG, 10p, 4 Diagrams, 4 Charts, 14 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknie Pełny tekstSzczegóły
    Tytuł:
    Direct extraction method for stripline packaged field effect transistor small signal equivalent circuit model.
    Autorzy:
    Yin, Qiuyan
    Gao, Jianjun
    Pokaż więcej
    Temat:
    STRIP transmission lines
    FIELD-effect transistors
    SIGNALS & signaling
    ELECTRIC circuits
    SEMICONDUCTOR wafers
    METAL semiconductor field-effect transistors
    MATHEMATICAL models
    Źródło:
    International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering; May2014, Vol. 24 Issue 3, p306-313, 8p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    FEASIBILITY OF TUNABLE AMPLIFIER AND BANDPASS FILTER FOR MOBILE HANDSETS USING ACTIVE INDUCTOR CIRCUITS.
    Autorzy:
    Rodriguez Tellez, J.
    Ali, N.T.
    Majeed, B.
    Pokaż więcej
    Temat:
    ELECTRONIC amplifiers
    BANDPASS filters
    MOBILE communication systems
    ELECTRIC inductors
    METAL semiconductor field-effect transistors
    Źródło:
    Active & Passive Electronic Components; Dec2002, Vol. 25 Issue 4, p307, 13p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Small-signal and large-signal modeling of active devices using CAD-optimized neural networks.
    Autorzy:
    Giannini, F.
    Leuzzi, G.
    Orengo, G.
    Albertini, M.
    Pokaż więcej
    Temat:
    ARTIFICIAL neural networks
    COMPUTER-aided design
    MODULATION-doped field-effect transistors
    METAL semiconductor field-effect transistors
    MICROWAVE circuits
    Źródło:
    International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering; Jan2002, Vol. 12 Issue 1, p71-78, 8p, 7 Diagrams, 5 Graphs
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-14 z 14

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies