Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""METAL semiconductor field-effect transistors"" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Low-power MoS2 metalsemiconductor field effect transistors (MESFETs) based on standard metalsemiconductor contact.
Autorzy:
Yang, Chengzhi (AUTHOR)
Jiang, Cheng (AUTHOR)
Niu, Wencheng (AUTHOR)
Hao, Dandan (AUTHOR)
Huang, Hao (AUTHOR)
Fu, Houqiang (AUTHOR)
Miao, Jinshui (AUTHOR)
Liu, Xingqiang (AUTHOR)
Zou, Xuming (AUTHOR)
Shan, Fukai (AUTHOR)
Yang, Zhenyu (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Applied Physics Letters. 2/12/2024, Vol. 124 Issue 7, p1-7. 7p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Strategy to improve synaptic behavior of ion-actuated synaptic transistors—the use of ion blocking layer to improve state retention.
Autorzy:
Jeon, Seonuk
Tessler, Nir
Kim, Nayeon
Hong, Eunryeong
Kim, Hyun Wook
Woo, Jiyong
Pokaż więcej
Temat:
SOLID electrolytes
COPPER
ION transport (Biology)
IONS
METAL semiconductor field-effect transistors
ELECTROLYTES
MEMRISTORS
TRANSISTORS
Źródło:
Scientific Reports; 3/4/2024, Vol. 14 Issue 1, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Morphological and electrical characterization of gate recessed AlGaN/GaN high electron mobility transistor device by purge-free atomic layer etching.
Autorzy:
Miersch, Christian
Seidel, Sarah
Schmid, Alexander
Fuhs, Thomas
Heitmann, Johannes
Beyer, Franziska C.
Pokaż więcej
Temat:
MODULATION-doped field-effect transistors
METAL semiconductor field-effect transistors
GALLIUM nitride
ETCHING
Źródło:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; Mar2024, Vol. 42 Issue 2, p1-5, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
A Novel Enhancement-Mode Gallium Nitride p-Channel Metal Insulator Semiconductor Field-Effect Transistor with a Buried Back Gate for Gallium Nitride Single-Chip Complementary Logic Circuits.
Autorzy:
Wang, Haochen
Chen, Kuangli
Yang, Ning
Zhu, Jianggen
Duan, Enchuan
Huang, Shuting
Zhao, Yishang
Zhang, Bo
Zhou, Qi
Pokaż więcej
Temat:
METAL semiconductor field-effect transistors
GALLIUM nitride
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
LOGIC circuits
METAL nitrides
Źródło:
Electronics (2079-9292); Feb2024, Vol. 13 Issue 4, p729, 15p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Optimization of Gate-Head-Top/Bottom Lengths of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with a Gate-Recessed Structure for High-Power Operations: A Simulation Study.
Autorzy:
Kang, Woo-Seok
Choi, Jun-Hyeok
Kim, Dohyung
Kim, Ji-Hun
Lee, Jun-Ho
Min, Byoung-Gue
Kang, Dong Min
Choi, Jung Han
Kim, Hyun-Seok
Pokaż więcej
Temat:
MODULATION-doped field-effect transistors
BREAKDOWN voltage
METAL semiconductor field-effect transistors
GALLIUM nitride
Źródło:
Micromachines; Jan2024, Vol. 15 Issue 1, p57, 15p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Electrical performance estimation and comparative study of heterojunction strained and conventional gate all around nanosheet field effect transistors.
Autorzy:
Abbasnezhad, Reza
Saghai, Hassan Rasooli
Hosseini, Reza
Sedghi, Aliasghar
Vahedi, Ali
Pokaż więcej
Temat:
FIELD-effect transistors
ELECTRON-hole recombination
HETEROJUNCTIONS
METAL semiconductor field-effect transistors
SEMICONDUCTOR devices
ELECTROSTATIC interaction
ELECTRIC potential
TRANSISTORS
Źródło:
Journal of Electrical Engineering; Dec2023, Vol. 74 Issue 6, p503-512, 10p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies