Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""MODULATION-doped field-effect transistors"" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors.
Autorzy:
Tanaka, Atsushi (AUTHOR)
Sugiura, Ryuji (AUTHOR)
Kawaguchi, Daisuke (AUTHOR)
Wani, Yotaro (AUTHOR)
Watanabe, Hirotaka (AUTHOR)
Sena, Hadi (AUTHOR)
Ando, Yuto (AUTHOR)
Honda, Yoshio (AUTHOR)
Igasaki, Yasunori (AUTHOR)
Wakejima, Akio (AUTHOR)
Ando, Yuji (AUTHOR)
Amano, Hiroshi (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Scientific Reports. 5/17/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-6. 6p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Improved I on /I off Current Ratio and Dynamic Resistance of a p-GaN High-Electron-Mobility Transistor Using an Al 0.5 GaN Etch-Stop Layer.
Autorzy:
Wang, Hsiang-Chun (AUTHOR)
Liu, Chia-Hao (AUTHOR)
Huang, Chong-Rong (AUTHOR)
Shih, Min-Hung (AUTHOR)
Chiu, Hsien-Chin (AUTHOR)
Kao, Hsuan-Ling (AUTHOR)
Liu, Xinke (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Materials (1996-1944). May2022, Vol. 15 Issue 10, p3503-3503. 7p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
A quantitative approach for trap analysis between Al0.25Ga0.75N and GaN in high electron mobility transistors.
Autorzy:
Amir, Walid (AUTHOR)
Shin, Ju-Won (AUTHOR)
Shin, Ki-Yong (AUTHOR)
Kim, Jae-Moo (AUTHOR)
Cho, Chu-Young (AUTHOR)
Park, Kyung-Ho (AUTHOR)
Hoshi, Takuya (AUTHOR)
Tsutsumi, Takuya (AUTHOR)
Sugiyama, Hiroki (AUTHOR)
Matsuzaki, Hideaki (AUTHOR)
Kim, Tae-Woo (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Scientific Reports. 11/17/2021, Vol. 11 Issue 1, p1-9. 9p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
A scalable electrothermal model using a three‐dimensional thermal analysis model for GaN‐on‐diamond high‐electron‐mobility transistors.
Autorzy:
Li, Youda (AUTHOR)
Mao, Shuman (AUTHOR)
Fu, Yu (AUTHOR)
Xu, Ruiming (AUTHOR)
Yan, Bo (AUTHOR)
Zhang, Yong (AUTHOR)
Xu, Yuehang (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
International Journal of Numerical Modelling. Aug/Sep2021, Vol. 34 Issue 5, p1-11. 11p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
A 18‐23 GHz power amplifier design using approximate optimal impedance region approach for satellite downlink.
Autorzy:
Yi, Chupeng (AUTHOR)
Lu, Yang (AUTHOR)
Zhao, Ziyue (AUTHOR)
Zhao, Bochao (AUTHOR)
Zhang, Hengshuang (AUTHOR)
Li, Peixian (AUTHOR)
Shi, Jiangyi (AUTHOR)
Ma, Xiaohua (AUTHOR)
Hao, Yue (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Jul2021, Vol. 31 Issue 7, p1-15. 15p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
2‐mm‐gate‐periphery GaN high electron mobility transistors on SiC and Si substrates: A comparative analysis from a small‐signal standpoint.
Autorzy:
Jarndal, Anwar (AUTHOR)
Alim, Mohammad Abdul (AUTHOR)
Raffo, Antonio (AUTHOR)
Crupi, Giovanni (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Jun2021, Vol. 31 Issue 6, p1-12. 12p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Multilayer perceptron–random forest based hybrid machine learning–neural network model for GaN high electron mobility transistor's parameter estimations.
Autorzy:
Mishra, Ashutosh (AUTHOR)
Raut, Samriddhi (AUTHOR)
Sehra, Khushwant (AUTHOR)
Singh, Raghvendra Pratap (AUTHOR)
Wadhera, Shweta (AUTHOR)
Kasturi, Poonam (AUTHOR)
Saxena, Geetika Jain (AUTHOR)
Saxena, Manoj (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Jul2022, Vol. 32 Issue 7, p1-22. 22p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Investigation of RF and DC Performance of E-Mode In0.80Ga0.20As/InAs/In0.80Ga0.20as Channel based DG-HEMTs for Future Submillimetre Wave and THz Applications.
Autorzy:
Ajayan, J. (AUTHOR)
Ravichandran, T. (AUTHOR)
Mohankumar, P. (AUTHOR)
Prajoon, P. (AUTHOR)
Charles Pravin, J. (AUTHOR)
Nirmal, D. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
IETE Journal of Research. May-Jun2021, Vol. 67 Issue 3, p366-376. 11p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz