Temat: "MODULATION-doped field-effect transistors" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Design of a Class-F Power Amplifier with GaN Device Model and Reflection Data.
Autorzy:: Alemdag, Merve (AUTHOR)
Kacar, Firat (AUTHOR)
Kilinc, Sedat (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: IETE Journal of Research. Feb2023, Vol. 69 Issue 2, p1117-1123. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Compact small‐signal equivalent circuit statistical analysis model of microwave wide bandgap gallium nitride high electron mobility transistors.
Autorzy:: Sun, Lu (AUTHOR)
Du, Huinan (AUTHOR)
Feng, Yibo (AUTHOR)
Li, Yingjie (AUTHOR)
Gu, Zongjing (AUTHOR)
Nian, Fushun (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Dec2022, Vol. 32 Issue 12, p1-8. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: A Model for Multiparametric Analysis of the Parameters of Short-Channel HEMT-Type Transistors.
Autorzy:: Nedoshivina, A. D. (AUTHOR)
Makartsev, I. V. (AUTHOR)
Obolensky, S. V. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Jun2022, Vol. 56 Issue 6, p346-351. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Submicrometer‐Thick Step‐Graded AlGaN Buffer on Silicon with a High‐Buffer Breakdown Field.
Autorzy:: Carneiro, Elodie (AUTHOR)
Rennesson, Stéphanie (AUTHOR)
Tamariz, Sebastian (AUTHOR)
Harrouche, Kathia (AUTHOR)
Semond, Fabrice (AUTHOR)
Medjdoub, Farid (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Aug2023, Vol. 220 Issue 16, p1-5. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Normally-Off p-Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructures.
Autorzy:: Egorkin, V. I. (AUTHOR)
Bespalov, V. A. (AUTHOR)
Zaitsev, A. A. (AUTHOR)
Zemlyakov, V. E. (AUTHOR)
Kapaev, V. V. (AUTHOR)
Kukhtyaeva, O. B. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Dec2021, Vol. 55 Issue 13, p1039-1044. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Thermal Stability of HfO2|AlGaN|GaN Normally-Off Transistors with Ni|Au and Pt Gate Metals.
Autorzy:: Lin, Y.-C. (AUTHOR)
Niu, J.-S. (AUTHOR)
Liu, W.-C. (AUTHOR)
Tsai, J.-H. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Jul2021, Vol. 55 Issue 7, p608-616. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Current Collapse Phenomena Investigation in Automotive-Grade Power GaN Transistors.
Autorzy:: Basile, Alfio (AUTHOR)
Scrimizzi, Filippo (AUTHOR)
Rizzo, Santi Agatino (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Energies (19961073). Jan2024, Vol. 17 Issue 1, p230. 23p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Investigation of the Influence of the Buffer Layer Design in a GaN HEMT Transistor on the Breakdown Characteristics.
Autorzy:: Kurbanbaeva, D. M.
Lashkov, A. V.
Tsarik, K. A.; Pokaż więcej
Temat:: BUFFER layers
BREAKDOWN voltage
MODULATION-doped field-effect transistors
TRANSISTORS
GALLIUM nitride
POWER transistors
CURRENT-voltage characteristics
Źródło:: Russian Microelectronics; 2023 Suppl 1, Vol. 52, pS14-S19, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: A millimeter‐wave broadband power amplifier with a tree‐like transistor structure using 0.15‐μm GaAs technology.
Autorzy:: Guo, Letian
Huang, Wenhua
Wang, Yujia
Wu, Tianxiang
Ma, Shunli
Ren, Junyan; Pokaż więcej
Temat:: POWER amplifiers
BROADBAND amplifiers
AUDITING standards
GALLIUM arsenide
MODULATION-doped field-effect transistors
TRANSISTORS
BANDWIDTHS
Źródło:: Microwave & Optical Technology Letters; Nov2023, Vol. 65 Issue 11, p2863-2868, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Study of AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors on Si Substrate with Thick Copper‐Metallized Interconnects for Ka‐Band Applications.
Autorzy:: Lee, Ming-Wen (AUTHOR)
Lin, Yueh-Chin (AUTHOR)
Lai, Kuan-Hsien (AUTHOR)
Weng, You-Chen (AUTHOR)
Hsu, Heng-Tung (AUTHOR)
Chang, Edward Yi (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Apr2023, Vol. 220 Issue 8, p1-7. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Experimental insight into the temperature effects on DC and microwave characteristics for a GaAs pHEMT in multilayer 3‐D MMIC technology.
Autorzy:: Alim, Mohammad Abdul (AUTHOR)
Rezazadeh, Ali A. (AUTHOR)
Crupi, Giovanni (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering. Oct2020, Vol. 30 Issue 10, p1-15. 15p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Compensation for the Nonlinearity of the Drain–Gate I–V Characteristic in Field-Effect Transistors with a Gate Length of ~100 nm.
Autorzy:: Tarasova, E. A. (AUTHOR)
Obolensky, S. V. (AUTHOR)
Khazanova, S. V. (AUTHOR)
Grigoryeva, N. N. (AUTHOR)
Golikov, O. L. (AUTHOR)
Ivanov, A. B. (AUTHOR)
Puzanov, A. S. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Sep2020, Vol. 54 Issue 9, p1155-1160. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: InAlAs/InGaAs/InP High-Electron-Mobility Transistors with a Composite Channel and Higher Breakdown Characteristics.
Autorzy:: Maleev, N. A. (AUTHOR)
Vasil'ev, A. P. (AUTHOR)
Kuzmenkov, A. G. (AUTHOR)
Bobrov, M. A. (AUTHOR)
Kulagina, M. M. (AUTHOR)
Troshkov, S. I. (AUTHOR)
Maleev, S. N. (AUTHOR)
Belyakov, V. A. (AUTHOR)
Petryakova, E. V. (AUTHOR)
Kudryashova, Yu. P. (AUTHOR)
Fefelova, E. L. (AUTHOR)
Makartsev, I. V. (AUTHOR)
Blokhin, S. A. (AUTHOR)
Ahmedov, F. A. (AUTHOR)
Egorov, A. V. (AUTHOR)
Fefelov, A. G. (AUTHOR)
Ustinov, V. M. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. Nov2019, Vol. 45 Issue 11, p1092-1096. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Development of a Method for Constructing a Nonlinear Model of a Metamorphic 0.15-μm МHEMT InAlAs/InGaAs Transistor.
Autorzy:: Lokotko, V. V. (AUTHOR)
Vasil'evskii, I. S. (AUTHOR)
Kargin, N. I. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Russian Microelectronics. Dec2022, Vol. 51 Issue 6, p404-412. 9p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: 20.2 GHz‐µm fT–LG in InAlN/GaN‐on‐Si High Electron Mobility Transistors.
Autorzy:: Charan, Vanjari Sai (AUTHOR)
Muralidharan, Rangarajan (AUTHOR)
Raghavan, Srinivasan (AUTHOR)
Nath, Digbijoy N. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Nov2022, Vol. 219 Issue 21, p1-5. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Highly Efficient GaN Doherty Power Amplifier for N78 Sub-6 GHz Band 5G Applications.
Autorzy:: Eid, Mohammed A. Elsayed
Abouelnaga, Tamer G.
Ibrahim, Hamed A.
Hamad, Ehab K. I.
Al-Gburi, Ahmed Jamal Abdullah
Alghamdi, Thamer A. H.
Alathbah, Moath; Pokaż więcej
Temat:: WESTERN countries
GALLIUM nitride
5G networks
POWER dividers
POWER amplifiers
MODULATION-doped field-effect transistors
TRANSISTORS
Źródło:: Electronics (2079-9292); Oct2023, Vol. 12 Issue 19, p4001, 22p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Electrothermal Performance of AlGaN/GaN Lateral Transistors with >10 μm Thick GaN Buffer on 200 mm Diameter‐Engineered Substrates.
Autorzy:: Lundh, James Spencer
Waltereit, Patrick
Müller, Stefan
Kirste, Lutz
Czap, Heiko
Tadjer, Marko J.
Hobart, Karl D.
Anderson, Travis J.
Odnoblyudov, Vladimir; Pokaż więcej
Temat:: THERMAL resistance
FIELD-effect transistors
GALLIUM nitride
HALL effect
TRANSISTORS
BUFFER layers
CARRIER density
MODULATION-doped field-effect transistors
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2023, Vol. 220 Issue 16, p1-6, 6p
Terminy geograficzne:: SCHWABISCH Hall (Germany)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Vertical GaN Transistor with Semi‐Insulating Channel.
Autorzy:: Šichman, Peter
Stoklas, Roman
Hasenöhrl, Stanislav
Gregušová, Dagmar
Ťapajna, Milan
Hudec, Boris
Haščík, Štefan
Hashizume, Tamotsu
Chvála, Aleš
Šatka, Alexander
Kuzmík, Ján; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
ATOMIC layer deposition
CHEMICAL vapor deposition
ELECTRON mobility
PLASMA etching
MODULATION-doped field-effect transistors
TRANSISTORS
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Aug2023, Vol. 220 Issue 16, p1-6, 6p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: A Quasi-Two-Dimensional Physics-Based Model of HEMTs without Smoothing Functions for Joining Linear and Saturation Regions of I-V Characteristics.
Autorzy:: Ryndin, Eugeny A.
Al-Saman, Amgad A.
Konoplev, Boris G.; Pokaż więcej
Źródło:: Active & Passive Electronic Components. 4/1/2019, p1-9. 9p. 1 Diagram, 1 Chart, 3 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Carrier Trap and Their Effects on the Surface and Core of AlGaN/GaN Nanowire Wrap-Gate Transistor.
Autorzy:: Mallem, Siva Pratap Reddy
Puneetha, Peddathimula
Lee, Dong-Yeon
Kim, Yoonkap
Kim, Han-Jung
Im, Ki-Sik
An, Sung-Jin; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
TRANSISTORS
NANOWIRES
NOISE measurement
MODULATION-doped field-effect transistors
SILICON nanowires
Źródło:: Nanomaterials (2079-4991); Jul2023, Vol. 13 Issue 14, p2132, 9p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""MODULATION-doped field-effect transistors"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji