Autor: "Maex, K." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Maex, K."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 1259

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: A low leakage 500 MHz 2T embedded dynamic memory with integrated semi-transparent refresh
Autorzy :: Vignon, A.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics September 2012 75:55-62
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Diffusion of solvents in thin porous films
Autorzy :: Shamiryan, D.
Beckx, S.
Boullart, W.
Maex, K.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the Fourth International TRI/Princeton Workshop "Characterization of Porous Materials: from Angstroms to Millimeters", Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2007 300(1):111-116
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Stress evolution during Ni–Si compound formation for fully silicided (FUSI) gates
Autorzy :: Torregiani, C.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials for Advanced Metallization 2007, Microelectronic Engineering 2007 84(11):2533-2536
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Impact of line-edge roughness on resistance and capacitance of scaled interconnects
Autorzy :: Stucchi, M.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials for Advanced Metallization 2007, Microelectronic Engineering 2007 84(11):2733-2737
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: A deep-level transient spectroscopy study of Co- and Ni-germanided n-type germanium
Autorzy :: Opsomer, K.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of Symposium T E-MRS 2006 Spring Meeting on Germanium based semiconductors from materials to devices, Materials Science in Semiconductor Processing 2006 9(4):554-558
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Influence of mass density and mechanical properties on the surface acoustic wave velocity dispersion
Autorzy :: Sekiguchi, A.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials for Advanced Metallization (MAM 2006), Microelectronic Engineering 2006 83(11):2368-2372
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Correlation between trench depth and TDDB thermal activation energy in single damascene Cu/SiOC:H
Autorzy :: Li, Y.-L.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials for Advanced Metallization (MAM 2006), Microelectronic Engineering 2006 83(11):2179-2183
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Phase effects and short gate length device implementation of Ni fully silicided (FUSI) gates
Autorzy :: Kittl, J.A.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials for Advanced Metallization (MAM 2006), Microelectronic Engineering 2006 83(11):2117-2121
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Atomic layer deposited WN xC y films growth on SiC surfaces
Autorzy :: Martin Hoyas, A.; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials for Advanced Metallization (MAM 2006), Microelectronic Engineering 2006 83(11):2068-2071
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: First-principle calculations on gate/dielectric interfaces: on the origin of work function shifts
Autorzy :: Pourtois, G.; Pokaż więcej
Źródło :: In 14th biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, Microelectronic Engineering 17 June 2005 80:272-279
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Characterization of atomic layer deposited nanoscale structure on dense dielectric substrates by X-ray reflectivity
Autorzy :: Travaly, Y.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, Microelectronic Engineering 2005 82(3):639-644
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Study of thermal stability of nickel silicide by X-ray reflectivity
Autorzy :: Van Hove, M.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the ninth european workshop on materials for advanced metallization 2005, Microelectronic Engineering 2005 82(3):492-496
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Layout dependency induced deviation from Poisson area scaling in BEOL dielectric reliability
Autorzy :: Li, Y.-L.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the 16th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Microelectronics Reliability 2005 45(9):1299-1304
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Device Characteristics of Ultra-shallow Junctions Formed by fRTP Annealing
Autorzy :: Satta, A.
Lindsay, R.
Severi, S.
Henson, K.
Maex, K.
McCoy, S.
Gelpey, J.
Elliott, K.; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Online Proceedings Library. 810(1):86-91
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Mixing entropy and the nucleation of silicides: Ni–Pd–Si and Co–Mn–Si ternary systems
Autorzy :: Detavernier, C.Aff1, Aff4
Qu, X. P.
Van Meirhaeghe, R. L.
Li, B. Z.
Maex, K.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Materials Research. 18(7):1668-1678
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Grain Growth, Stress, and Impurities in Electroplated Copper
Autorzy :: Brongersma, S. H.
Kerr, E.Aff1, Aff2
Vervoort, I.
Saerens, A.
Maex, K.Aff1, Aff4; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Materials Research. 17(3):582-589
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: On the two-dimensional capacitance calculation of multiconductor multilayered interconnects
Autorzy :: Ymeri, H.
Nauwelaers, B.
Maex, K.; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :: CALCUL BIDIMENSIONNEL DES CAPACITéS POUR DES INTERCONNEXIONS À CONDUCTEURS MULTIPLES SUR MILIEU MULTICOUCHE
Źródło :: Annales Des Télécommunications. September 2001 56(9-10):550-559
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Influence of SiGe Thickness on the Co/SiGe/Si Solid State Reaction
Autorzy :: Donaton, R. A.
Jin, S.
Bender, H.
Maex, K.Aff122, Aff322
Vantomme, A.
Langouche, G.; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Online Proceedings Library. 564(1):151-156
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: The Influence of Ti Capping Layers on CoSi2 Formation in the Presence of Interfacial Oxide
Autorzy :: Detavernier, C.
Donaton, R. A.
Maex, K.Aff220, Aff320
Jin, S.
Bender, H.
Van Meirhaeghe, R.
Cardon, F.; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Online Proceedings Library. 564(1):139-144
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: A Beem Study of PtSi Schottky Contacts on Ion-Milled Si
Autorzy :: Ru, Guo-Ping
Detavernier, C.
Donaton, R. A.
Blondeel, A.
Clauws, P.
Van Meirhaeghe, R. L.
Cardon, F.
Maex, K.
Qu, Xin-Ping
Zhu, Shi-Yang
Li, Bing-Zong; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Online Proceedings Library. 564(1):201-206
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 1259

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Maex, K."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język