- Tytuł:
- Atomic-scale characterization of highly doped Si impurities in GaAs using scanning tunneling microscopy.
- Autorzy:
- Źródło:
- Applied Surface Science. May2022, Vol. 583, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.