- Tytuł:
- Proton and gamma radiation effects in a new first-generation SiGe HBT technology
- Autorzy:
- Źródło:
- In Solid State Electronics 2006 50(2):181-190
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.