- Tytuł:
-
Study of the component distribution in Si/Ge
x Si1−x /Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy - Autorzy:
- Źródło:
-
Physics of the Solid State . April 2002 44(4):709-713
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.