Autor: "Massies, Jean" - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Massies, Jean"" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 38

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Why and how In composition fluctuations appear in InGaN?
Autorzy:: Duboz, Jean-Yves
Isnard, Wanda
Zuniga-Perez, Jesus
Massies, Jean; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1 February 2023 603

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Properties of AlN layers grown on c-sapphire substrate using ammonia assisted MBE
Autorzy:: Matta, Samuel
Brault, Julien
Korytov, Maxim
Phuong Vuong, Thi Quynh
Chaix, Catherine
Al Khalfioui, Mohamed
Vennéguès, Philippe
Massies, Jean
Gil, Bernard; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1 October 2018 499:40-46

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Photoluminescence properties of (Al,Ga)N nanostructures grown on Al0.5Ga0.5N (0001)
Autorzy:: Matta, Samuel
Brault, Julien
Ngo, Thi-Huong
Damilano, Benjamin
Leroux, Mathieu
Massies, Jean
Gil, Bernard; Pokaż więcej
Źródło:: In Superlattices and Microstructures February 2018 114:161-168

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Displacement Talbot lithography for nano-engineering of III-nitride materials
Autorzy:: Coulon, Pierre-Marie
Damilano, Benjamin
Alloing, Blandine
Chausse, Pierre
Walde, Sebastian
Enslin, Johannes
Armstrong, Robert
Vézian, Stéphane
Hagedorn, Sylvia
Wernicke, Tim
Massies, Jean
Zúñiga‐Pérez, Jesus
Weyers, Markus
Kneissl, MichaelAff3, Aff4
Shields, Philip A.; Pokaż więcej
Źródło:: Microsystems & Nanoengineering. 5(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Evidences of defect contribution in magnetically ordered Sm-implanted GaN
Autorzy:: Lo, Fang-Yuh
Guo, Jhong-Yu
Huang, Cheng-De
Chou, Kai-Chieh
Liu, Hsiang-Lin
Ney, Verena
Ney, Andreas
Chern, Ming-Yau
Shvarkov, Stepan
Reuter, Dirk
Wieck, Andreas D.
Pezzagna, Sébastien
Massies, Jean; Pokaż więcej
Źródło:: In Current Applied Physics 14 March 2014 14 Supplement 1:S7-S11

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Enhanced excitonic emission efficiency in porous GaN
Autorzy:: Ngo, Thi HuongAff1, Aff2
Gil, BernardAff1, Aff3
Shubina, Tatiana V.
Damilano, Benjamin
Vezian, Stéphane
Valvin, Pierre
Massies, Jean; Pokaż więcej
Źródło:: Scientific Reports. 8(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Confined exciton-polariton modes in a thin, homo-epitaxial, GaN film grown by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Morel, Aurélien
Taliercio, Thierry
Lefebvre, Pierre
Gallart, Mathieu
Gil, Bernard
Grandjean, Nicolas
Massies, Jean
Grzegory, Izabella
Porowski, Sylvester; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science & Engineering B 2001 82(1):173-177

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Ultrathin AlN‐Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH3‐MBE.
Autorzy:: Rennesson, Stephanie
Leroux, Mathieu
Al Khalfioui, Mohamed
Nemoz, Maud
Chenot, Sébastien
Massies, Jean
Largeau, Ludovic
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Semond, Fabrice; Pokaż więcej
Temat:: MODULATION-doped field-effect transistors
ALUMINUM nitride
SUBSTRATES (Materials science)
MOLECULAR beam epitaxy
SILICON
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; May2018, Vol. 215 Issue 9, p1-1, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: GaN/Al0.5Ga0.5N quantum dots and quantum dashes.
Autorzy:: Huault, Thomas
Brault, Julien
Natali, Franck
Damilano, Benjamin
Lefebvre, Denis
Tauk, Rabih
Leroux, Mathieu
Massies, Jean; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (B); Apr2009, Vol. 246 Issue 4, p842-845, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Characterization of MBE grown silver layers on (001) GaAs surfaces by synchrotron radiation plane wave techniques
Autorzy:: Sauvage, Michèle
Massies, Jean; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1982 59(3):605-615

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: On the growth of silver on GaAs{001} surfaces
Autorzy:: Massies, Jean
Linh, Nuyen T.; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1982 56(1):25-38

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Surface morphology of AlN and size dispersion of GaN quantum dots
Autorzy:: Matsuse, Akihiro
Grandjean, Nicolas
Damilano, Benjamin
Massies, Jean; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Feb2005, Vol. 274 Issue 3/4, p387-393. 7p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 38

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Massies, Jean"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji