- Tytuł:
- Highly efficient near ultraviolet LEDs using InGaN/GaN/AlxGa1-xN/GaN multiple quantum wells at high temperature on sapphire substrate
- Autorzy:
- Źródło:
- In Materials Science in Semiconductor Processing 15 March 2023 156
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.