Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Medjdoub, Farid"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Transmorphic epitaxial growth of AlN nucleation layers on SiC substrates for high-breakdown thin GaN transistors
Autorzy :
Lu, Jun
Chen, Jr-Tai
Dahlqvist, Martin
Kabouche, Riad
Medjdoub, Farid
Rosen, Johanna
Kordina, Olof
Hultman, Lars
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 115 (22), pp.221601. ⟨10.1063/1.5123374⟩
Tytuł :
Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures
Autorzy :
Kabouche, Riad
Abid, Idriss
Püsche, Roland
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Tajalli, Alaleh
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
physica status solidi (a)
physica status solidi (a), Wiley, 2019, pp.1900687. ⟨10.1002/pssa.201900687⟩
Tytuł :
High Lateral Breakdown Voltage in Thin Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on AlN/Sapphire Templates
Autorzy :
Abid, Idriss
Kabouche, Riad
Bougerol, Catherine
Pernot, Julien
Masante, Cédric
Comyn, Rémi
Cordier, Yvon
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
Mechanical engineering and machinery
TJ1-1570
gan
high-electron-mobility transistor (hemt)
ultra-wide band gap
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Article
Źródło :
Micromachines, MDPI, 2019, 10 (10), pp.690. ⟨10.3390/mi10100690⟩
Micromachines, Vol 10, Iss 10, p 690 (2019)
Opis pliku :
application/pdf
Tytuł :
The Effects of AlN and Copper Back Side Deposition on the Performance of Etched Back GaN/Si HEMTs
Autorzy :
Pavlidis, Georges
Kim, Samuel
Abid, Idriss
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Graham, Samuel
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
IEEE Electron Device Letters
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 40 (7), pp.1060-1063. ⟨10.1109/LED.2019.2915984⟩
Tytuł :
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
Autorzy :
Kabouche, Riad
Pecheux, Romain
Harrouche, Kathia
Okada, Etienne
Medjdoub, Farid
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Gucmann, Filip
Middleton, Callum
Pomeroy, James
Kuball, Martin
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
International Journal of High Speed Electronics and Systems
International Journal of High Speed Electronics and Systems, World Scientific Publishing, 2019, 28 (01n02), pp.1940003. ⟨10.1142/S0129156419400032⟩
Tytuł :
High performance and highly robust AlN/GaN HEMTs for millimeter-wave operation
Autorzy :
Harrouche, Kathia
Kabouche, Riad
Okada, Etienne
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
IEEE Journal of the Electron Devices Society
IEEE Journal of the Electron Devices Society, IEEE Electron Devices Society, In press, pp.1-1. ⟨10.1109/JEDS.2019.2952314⟩
Tytuł :
Evidence of optically induced degradation in gallium nitride optoelectronic devices
Autorzy :
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Renso, Nicola
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
Applied Physics Express, IOPScience - Japan Society of Applied Physics, 2018, 11 (11), pp.111002. ⟨10.7567/APEX.11.111002⟩
Tytuł :
Characterization and Electrical Modeling Including Trapping Effects of AIN/GaN HEMT 4×50μm on Silicon Substrate
Autorzy :
Bouslama, Mohamed
Al Hajjar, Ahmad
Sommet, Raphaël
Medjdoub, Farid
Nallatamby, Jean-Christophe
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, France. pp.333-336, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539941⟩
Tytuł :
Characterization and Electrical Modeling Including Trapping Effects of AIN/GaN HEMT 4×50μm on Silicon Substrate
Autorzy :
Bouslama, Mohamed
Al Hajjar, Ahmad
Sommet, Raphaël
Medjdoub, Farid
Nallatamby, Jean-Christophe
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, France. pp.333-336
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, France. pp.333-336, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539941⟩
Tytuł :
DEVELOPMENT OF SETUP FOR ON-WAFER PULSE-TO-PULSE STABILITY CHARACTERIZATION OF GAN HEMT TRANSISTOR IN KU-BAND
Autorzy :
Pécheux, Romain
Ducournau, Guillaume
Kabouche, Riad
Okada, Etienne
Mondolot, Christian
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018, Jun 2018, Agay, France. ⟨10.1002/pssa.201600797⟩
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018
Tytuł :
DEVELOPMENT OF SETUP FOR ON-WAFER PULSE-TO-PULSE STABILITY CHARACTERIZATION OF GAN HEMT TRANSISTOR IN KU-BAND
Autorzy :
Pécheux, Romain
Ducournau, Guillaume
Kabouche, Riad
Okada, Etienne
Mondolot, Christian
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Źródło :
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018
16èmes Journées Nano, Micro, et Optoélectronique, JNMO 2018, Jun 2018, Agay, France. ⟨10.1002/pssa.201600797⟩
Tytuł :
GaN-on-silicon high-electron-mobility transistor technology with ultra-low leakage up to 3000 V using local substrate removal and AlN ultra-wide bandgap
Autorzy :
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
Applied Physics Express, IOPScience - Japan Society of Applied Physics, 2018, 11 (3), pp.034102. ⟨10.7567/APEX.11.034102⟩
Tytuł :
Degradation processes and origin in InGaN-based high-power photodetectors
Autorzy :
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Caria, Alessandro
Dogmus, Ezgi
Zegaoui, Malek
Medjdoub, Farid
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
Gallium Nitride Materials and Devices XIII, Jan 2018, San Francisco, France. pp.54, ⟨10.1117/12.2289466⟩
Gallium Nitride Materials and Devices XIII

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies