Highly Responsive Switchable Broadband DUV‐NIR Photodetector and Tunable Emitter Enabled by Uniform and Vertically Grown III–V Nanowire on Silicon Substrate for Integrated Photonics.
Manipulating Surface Band Bending of III‐Nitride Nanowires with Ambipolar Charge‐Transfer Characteristics: A Pathway Toward Advanced Photoswitching Logic Gates and Encrypted Optical Communication.
Achieving Record-High Photoelectrochemical Photoresponse Characteristics by Employing Co3O4Nanoclusters as Hole Charging Layer for Underwater Optical Communication
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
