Autor: "Meneghesso, G." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Non-monotonic threshold voltage variation in 4H-SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistor: Investigation and modeling.
Autorzy :: Masin, F.
De Santi, C.
Lettens, J.
Franchi, J.
Domeij, M.
Moens, P.
Meneghini, M.
Meneghesso, G.
Zanoni, E.; Pokaż więcej
Temat :: THRESHOLD voltage
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
IMPACT ionization
FIELD-effect transistors
RATE equation model
SEMICONDUCTOR junctions
ELECTRON traps
Źródło :: Journal of Applied Physics; 10/14/2021, Vol. 130 Issue 14, p1-6, 6p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Study and characterization of GaN MOS capacitors: Planar vs trench topographies.
Autorzy :: Mukherjee, K.
De Santi, C.
You, S.
Geens, K.
Borga, M.
Decoutere, S.
Bakeroot, B.
Diehle, P.
Altmann, F.
Meneghesso, G.
Zanoni, E.
Meneghini, M.; Pokaż więcej
Temat :: METAL oxide semiconductor field-effect transistors
SCANNING transmission electron microscopy
METAL oxide semiconductors
GALLIUM nitride
FIELD-effect transistors
METAL oxide semiconductor capacitors
CAPACITORS
Źródło :: Applied Physics Letters; 4/7/2022, Vol. 120 Issue 14, p1-5, 5p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Evaluation of novel carrier substrates for high reliability and integrated GaN devices in a 200 mm complementary metal-oxide semiconductor compatible process
Autorzy :: Stoffels, S.
Geens, K.
Li, X.
Wellekens, D.
You, S.
Zhao, M.
Borga, M.
Zanoni, E.
Meneghesso, G.
Meneghini, M.
Posthuma, N. E.
Van Hove, M.
Decoutere, S.; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Communications. 8(4):1387-1394
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Degradation of InGaN-based LEDs: Demonstration of a recombination-dependent defect-generation process.
Autorzy :: Renso, N.
De Santi, C.
Caria, A.
Dalla Torre, F.
Zecchin, L.
Meneghesso, G.
Zanoni, E.
Meneghini, M.; Pokaż więcej
Temat :: ELECTRON-hole recombination
CARRIER density
DIFFUSION processes
TIME pressure
QUANTUM wells
LUMINESCENCE
WAVELENGTHS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 5/14/2020, Vol. 127 Issue 18, p1-7, 7p, 1 Diagram, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits.
Autorzy :: Besendörfer, S.
Meissner, E.
Tajalli, A.
Meneghini, M.
Freitas, J. A.
Derluyn, J.
Medjdoub, F.
Meneghesso, G.
Friedrich, J.
Erlbacher, T.; Pokaż więcej
Temat :: SECONDARY ion mass spectrometry
CATHODOLUMINESCENCE
ATOMIC force microscopy
ALUMINUM nitride
GALLIUM nitride
SILICON nitride
Źródło :: Journal of Applied Physics; 1/7/2020, Vol. 127 Issue 1, p1-9, 9p, 3 Diagrams, 5 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, G."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język