Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, G."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Non-monotonic threshold voltage variation in 4H-SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistor: Investigation and modeling.
Autorzy :
Masin, F.
De Santi, C.
Lettens, J.
Franchi, J.
Domeij, M.
Moens, P.
Meneghini, M.
Meneghesso, G.
Zanoni, E.
Pokaż więcej
Temat :
THRESHOLD voltage
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
IMPACT ionization
FIELD-effect transistors
RATE equation model
SEMICONDUCTOR junctions
ELECTRON traps
Źródło :
Journal of Applied Physics; 10/14/2021, Vol. 130 Issue 14, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Degradation of InGaN-based LEDs: Demonstration of a recombination-dependent defect-generation process.
Autorzy :
Renso, N.
De Santi, C.
Caria, A.
Dalla Torre, F.
Zecchin, L.
Meneghesso, G.
Zanoni, E.
Meneghini, M.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRON-hole recombination
CARRIER density
DIFFUSION processes
TIME pressure
QUANTUM wells
LUMINESCENCE
WAVELENGTHS
Źródło :
Journal of Applied Physics; 5/14/2020, Vol. 127 Issue 18, p1-7, 7p, 1 Diagram, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Vertical breakdown of GaN on Si due to V-pits.
Autorzy :
Besendörfer, S.
Meissner, E.
Tajalli, A.
Meneghini, M.
Freitas, J. A.
Derluyn, J.
Medjdoub, F.
Meneghesso, G.
Friedrich, J.
Erlbacher, T.
Pokaż więcej
Temat :
SECONDARY ion mass spectrometry
CATHODOLUMINESCENCE
ATOMIC force microscopy
ALUMINUM nitride
GALLIUM nitride
SILICON nitride
Źródło :
Journal of Applied Physics; 1/7/2020, Vol. 127 Issue 1, p1-9, 9p, 3 Diagrams, 5 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies