Autor: "Meneghesso, Gaudenzio" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: A new method for CdSexTe1-x band grading for high efficiency thin-absorber CdTe solar cells
Autorzy :: Artegiani, Elisa; Pokaż więcej
Źródło :: In Solar Energy Materials and Solar Cells 1 July 2021 226
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Glass-ceramic composites for high-power white-light-emitting diodes
Autorzy :: Longato, Alessandro; Pokaż więcej
Źródło :: In Ceramics International January 2021
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Influence of CdTe solar cell properties on stability at high temperatures
Autorzy :: Bertoncello, Matteo; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability November 2020 114
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
Autorzy :: Modolo, Nicola; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability November 2020 114
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: BTI saturation and universal relaxation in SiC power MOSFETs
Autorzy :: Sánchez, Luis; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability June 2020 109
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Coupling halide perovskites with different materials: From doping to nanocomposites, beyond photovoltaics
Autorzy :: Righetto, Marcello; Pokaż więcej
Źródło :: In Progress in Materials Science May 2020 110
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: A film-forming graphene/diketopyrrolopyrrole covalent hybrid with far-red optical features: Evidence of photo-stability
Autorzy :: Zheng, Meng; Pokaż więcej
Źródło :: In Synthetic Metals December 2019 258
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Reliability investigation on CdTe solar cells submitted to short-term thermal stress
Autorzy :: Bertoncello, Matteo; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability September 2019 100-101
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Investigation of the degradations in power GaN-on-Si MIS-HEMTs subjected to cumulative γ-ray irradiation
Autorzy :: Sharma, Chandan; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability September 2019 100-101
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Thermal droop in III-nitride based light-emitting diodes: Physical origin and perspectives.
Autorzy :: Meneghini, Matteo
De Santi, Carlo
Tibaldi, Alberto
Vallone, Marco
Bertazzi, Francesco
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Goano, Michele; Pokaż więcej
Temat :: LIGHT emitting diodes
AUTOMOBILE lighting
ELECTRON-hole recombination
LIGHT sources
AUTOMOTIVE electronics
QUANTUM efficiency
PHOSPHORS
Źródło :: Journal of Applied Physics; 6/7/2020, Vol. 127 Issue 21, p1-31, 31p, 3 Diagrams, 29 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Difluorochloromethane treated thin CdS buffer layers for improved CdTe solar cells
Autorzy :: Leoncini, Mauro; Pokaż więcej
Źródło :: In Thin Solid Films 28 February 2019 672:7-13
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Analysis of magnesium zinc oxide layers for high efficiency CdTe devices
Autorzy :: Artegiani, Elisa; Pokaż więcej
Źródło :: In Thin Solid Films 28 February 2019 672:22-25
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Understanding lead iodide perovskite hysteresis and degradation causes by extensive electrical characterization
Autorzy :: Rizzo, Antonio; Pokaż więcej
Źródło :: In Solar Energy Materials and Solar Cells January 2019 189:43-52
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Trapping phenomena and degradation mechanisms in GaN-based power HEMTs
Autorzy :: Meneghini, Matteo; Pokaż więcej
Źródło :: In Materials Science in Semiconductor Processing May 2018 78:118-126
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: “Hole Redistribution” Model Explaining the Thermally Activated RON Stress/Recovery Transients in Carbon-Doped AlGaN/GaN Power MIS-HEMTs.
Autorzy :: Zagni, Nicolo
Chini, Alessandro
Puglisi, Francesco Maria
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pavan, Paolo
Verzellesi, Giovanni; Pokaż więcej
Temat :: MODULATION-doped field-effect transistors
DOPING agents (Chemistry)
ALUMINUM gallium nitride
VALENCE bands
Źródło :: IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2021, Vol. 68 Issue 2, p697-703, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Field and hot electron-induced degradation in GaN-based power MIS-HEMTs
Autorzy :: Tajalli, Alaleh; Pokaż więcej
Źródło :: In Microelectronics Reliability September 2017 76-77:282-286
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język