Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Thermal droop in III-nitride based light-emitting diodes: Physical origin and perspectives.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
De Santi, Carlo
Tibaldi, Alberto
Vallone, Marco
Bertazzi, Francesco
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Goano, Michele
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
AUTOMOBILE lighting
ELECTRON-hole recombination
LIGHT sources
AUTOMOTIVE electronics
QUANTUM efficiency
PHOSPHORS
Źródło :
Journal of Applied Physics; 6/7/2020, Vol. 127 Issue 21, p1-31, 31p, 3 Diagrams, 29 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs.
Autorzy :
Modolo, Nicola
De Santi, Carlo
Minetto, Andrea
Sayadi, Luca
Sicre, Sebastien
Prechtl, Gerhard
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
RATE equation model
HOT carriers
ELECTRON traps
TRANSISTORS
WIDE gap semiconductors
CRITICAL currents
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; May2021, Vol. 42 Issue 5, p673-676, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
“Hole Redistribution” Model Explaining the Thermally Activated RON Stress/Recovery Transients in Carbon-Doped AlGaN/GaN Power MIS-HEMTs.
Autorzy :
Zagni, Nicolo
Chini, Alessandro
Puglisi, Francesco Maria
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pavan, Paolo
Verzellesi, Giovanni
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
DOPING agents (Chemistry)
ALUMINUM gallium nitride
VALENCE bands
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2021, Vol. 68 Issue 2, p697-703, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Understanding the effects of off-state and hard-switching stress in gallium nitride-based power transistors.
Autorzy :
Modolo, Nicola
De Santi, Carlo
Minetto, Andrea
Sayadi, Luca
Sicre, Sebastien
Prechtl, Gerhard
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
POWER transistors
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM
GALLIUM nitride
Źródło :
Semiconductor Science & Technology; Jan2021, Vol. 36 Issue 1, p1-10, 10p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Geometric Modeling of Thermal Resistance in GaN HEMTs on Silicon.
Autorzy :
Gonzalez, Benito
De Santi, Carlo
Rampazzo, Fabiana
Meneghini, Matteo
Nunez, Antonio
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
THERMAL resistance
GENERATIVE adversarial networks
MODULATION-doped field-effect transistors
PULSE measurement
SILICON
GALLIUM nitride
GEOMETRIC modeling
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2020, Vol. 67 Issue 12, p5408-5414, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Highly stable threshold voltage in GaN nanowire FETs: The advantages of p-GaN channel/Al2O3 gate insulator.
Autorzy :
Ruzzarin, Maria
De Santi, Carlo
Yu, Feng
Fatahilah, Muhammad Fahlesa
Strempel, Klaas
Wasisto, Hutomo Suryo
Waag, Andreas
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
THRESHOLD voltage
TRANSISTORS
DIFFERENTIAL equations
ELECTRONIC equipment
GATES
Źródło :
Applied Physics Letters; 11/16/2020, Vol. 117 Issue 20, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Cause and Effects of OFF-State Degradation in Hydrogen-Terminated Diamond MESFETs.
Autorzy :
De Santi, Carlo
Pavanello, Luca
Nardo, Arianna
Verona, Claudio
Rinati, Gianluca Verona
Cannata, Domenico
Pietrantonio, Fabio Di
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
METAL semiconductor field-effect transistors
INDIUM gallium zinc oxide
CAUSATION (Philosophy)
THRESHOLD voltage
DIAMOND surfaces
DIAMONDS
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2020, Vol. 67 Issue 10, p4021-4026, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Trapping and Detrapping Mechanisms in β-Ga₂O₃ Vertical FinFETs Investigated by Electro-Optical Measurements.
Autorzy :
Fabris, Elena
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Li, Wenshen
Nomoto, Kazuki
Hu, Zongyang
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
MONOCHROMATIC light
THRESHOLD energy
THRESHOLD voltage
CONDUCTION bands
ELECTRIC potential measurement
PULSE measurement
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2020, Vol. 67 Issue 10, p3954-3959, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Impact of Residual Carbon on Avalanche Voltage and Stability of Polarization-Induced Vertical GaN p-n Junction.
Autorzy :
Fabris, Elena
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Mukherjee, Kalparupa
Nomoto, Kazuki
Hu, Zongyang
Li, Wenshen
Gao, Xiang
Marchand, Hugues
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
BREAKDOWN voltage
AVALANCHES
AVALANCHE diodes
MASS spectrometry
CARBON
ELECTRIC fields
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2020, Vol. 67 Issue 10, p3978-3982, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Fast System to measure the dynamic on-resistance of on-wafer 600 V normally off GaN HEMTs in hard-switching application conditions.
Autorzy :
Barbato, Alessandro
Barbato, Marco
Meneghini, Matteo
Silvestri, Marco
Detzel, Thomas
Haeberlen, Oliver
Spiazzi, Giorgio
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
POWER transistors
HOT carriers
WIDE gap semiconductors
MANUFACTURING processes
DYNAMICAL systems
Źródło :
IET Power Electronics (Wiley-Blackwell); 2020, Vol. 13 Issue 11, p2390-2397, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
On-Wafer Fast Evaluation of Failure Mechanism of 0.25-μm AlGaN/GaN HEMTs: Evidence of Sidewall Indiffusion.
Autorzy :
Rzin, Mehdi
Meneghini, Matteo
Rampazzo, Fabiana
Zhan, Veronica Gao
Marcon, Daniele
Grunenputt, Jan
Jung, Helmut
Lambert, Benoit
Riepe, Klaus
Blanck, Herve
Graff, Andreas
Altmann, Frank
Simon-Najasek, Michel
Poppitz, David
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
PLASMA-enhanced chemical vapor deposition
THRESHOLD voltage
FAILURE analysis
WIDE gap semiconductors
ALUMINUM gallium nitride
HIGH temperatures
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2020, Vol. 67 Issue 7, p2765-2770, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Degradation Mechanisms of GaN‐Based Vertical Devices: A Review.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Fabris, Elena
Ruzzarin, Maria
De Santi, Carlo
Nomoto, Kazuki
Hu, Zhenqi
Li, Wenshen
Gao, Xingya
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace
Sun, Min
Palacios, Tomas
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
AVALANCHE diodes
ELECTROLUMINESCENCE
FIELD-effect transistors
THRESHOLD voltage
DIODES
TRANSISTORS
AVALANCHES
Źródło :
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2020, Vol. 217 Issue 7, p1-12, 12p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN‐on‐Silicon Heterostructures.
Autorzy :
Kabouche, Riad
Abid, Idriss
Püsche, Roland
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Tajalli, Alaleh
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Medjdoub, Farid
Pokaż więcej
Temat :
HETEROSTRUCTURES
BUFFER layers
POWER transistors
BREAKDOWN voltage
GALLIUM nitride
SUPERLATTICES
SILICON nitride
Źródło :
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Apr2020, Vol. 217 Issue 7, p1-6, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Observation of ID-VD Kink in N-Polar GaN MIS-HEMTs at Cryogenic Temperatures.
Autorzy :
Bisi, Davide
Meneghesso, Gaudenzio
Mishra, Umesh K.
Zanoni, Enrico
Wienecke, Steven
Romanczyk, Brian
Li, Haoran
Ahmadi, Elaheh
Keller, Stacia
Guidry, Matthew
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
IMPACT ionization
THRESHOLD voltage
TEMPERATURE
ELECTRON impact ionization
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Mar2020, Vol. 41 Issue 3, p345-348, 4p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies