Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 23
Tytuł:
Scaling of E-mode power GaN-HEMTs for low voltage/low Ron applications: Implications on robustness.
Autorzy:
Benato, Andrea (AUTHOR)
De Santi, Carlo (AUTHOR)
Borga, Matteo (AUTHOR)
Bakeroot, Benoit (AUTHOR)
Filipek, Izabela Kuzma (AUTHOR)
Posthuma, Niels (AUTHOR)
Decoutere, Stefaan (AUTHOR)
Meneghesso, Gaudenzio (AUTHOR)
Zanoni, Enrico (AUTHOR)
Meneghini, Matteo (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Microelectronics Reliability. Nov2023, Vol. 150, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Role of p-GaN layer thickness in the degradation of InGaN-GaN MQW solar cells under 405 nm laser excitation.
Autorzy:
Nicoletto, Marco (AUTHOR)
Caria, Alessandro (AUTHOR)
De Santi, Carlo (AUTHOR)
Buffolo, Matteo (AUTHOR)
Huang, Xuanqi (AUTHOR)
Fu, Houqiang (AUTHOR)
Chen, Hong (AUTHOR)
Zhao, Yuji (AUTHOR)
Meneghesso, Gaudenzio (AUTHOR)
Zanoni, Enrico (AUTHOR)
Meneghini, Matteo (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Microelectronics Reliability. Nov2022, Vol. 138, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Modeling the electrical characteristic of InGaN/GaN blue-violet LED structure under electrical stress.
Autorzy:
Roccato, Nicola (AUTHOR)
Piva, Francesco (AUTHOR)
De Santi, Carlo (AUTHOR)
Buffolo, Matteo (AUTHOR)
Haller, Camille (AUTHOR)
Carlin, Jean-François (AUTHOR)
Grandjean, Nicolas (AUTHOR)
Vallone, Marco (AUTHOR)
Tibaldi, Alberto (AUTHOR)
Bertazzi, Francesco (AUTHOR)
Goano, Michele (AUTHOR)
Verzellesi, Giovanni (AUTHOR)
Meneghesso, Gaudenzio (AUTHOR)
Zanoni, Enrico (AUTHOR)
Meneghini, Matteo (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Microelectronics Reliability. Nov2022, Vol. 138, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Short term reliability and robustness of ultra-thin barrier, 110 nm-gate AlN/GaN HEMTs.
Autorzy:
Gao, ZHan (AUTHOR)
Meneghini, Matteo (AUTHOR)
Harrouche, Kathia (AUTHOR)
Kabouche, Riad (AUTHOR)
Chiocchetta, Francesca (AUTHOR)
Okada, Etienne (AUTHOR)
Rampazzo, Fabiana (AUTHOR)
De Santi, Carlo (AUTHOR)
Medjdoub, Farid (AUTHOR)
Meneghesso, Gaudenzio (AUTHOR)
Zanoni, Enrico (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Microelectronics Reliability. Aug2021, Vol. 123, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects.
Autorzy:
Modolo, Nicola (AUTHOR)
Meneghini, Matteo (AUTHOR)
Barbato, Alessandro (AUTHOR)
Nardo, Arianna (AUTHOR)
De Santi, Carlo (AUTHOR)
Meneghesso, Gaudenzio (AUTHOR)
Zanoni, Enrico (AUTHOR)
Sicre, Sebastien (AUTHOR)
Prechtl, Gerhard (AUTHOR)
Curatola, Gilberto (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Microelectronics Reliability. Nov2020, Vol. 114, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 23

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies