Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
“Hole Redistribution” Model Explaining the Thermally Activated RON Stress/Recovery Transients in Carbon-Doped AlGaN/GaN Power MIS-HEMTs.
Autorzy :
Zagni, Nicolo
Chini, Alessandro
Puglisi, Francesco Maria
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pavan, Paolo
Verzellesi, Giovanni
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
DOPING agents (Chemistry)
ALUMINUM gallium nitride
VALENCE bands
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2021, Vol. 68 Issue 2, p697-703, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Geometric Modeling of Thermal Resistance in GaN HEMTs on Silicon.
Autorzy :
Gonzalez, Benito
De Santi, Carlo
Rampazzo, Fabiana
Meneghini, Matteo
Nunez, Antonio
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
THERMAL resistance
GENERATIVE adversarial networks
MODULATION-doped field-effect transistors
PULSE measurement
SILICON
GALLIUM nitride
GEOMETRIC modeling
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2020, Vol. 67 Issue 12, p5408-5414, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Cause and Effects of OFF-State Degradation in Hydrogen-Terminated Diamond MESFETs.
Autorzy :
De Santi, Carlo
Pavanello, Luca
Nardo, Arianna
Verona, Claudio
Rinati, Gianluca Verona
Cannata, Domenico
Pietrantonio, Fabio Di
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
METAL semiconductor field-effect transistors
INDIUM gallium zinc oxide
CAUSATION (Philosophy)
THRESHOLD voltage
DIAMOND surfaces
DIAMONDS
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2020, Vol. 67 Issue 10, p4021-4026, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Trapping and Detrapping Mechanisms in β-Ga₂O₃ Vertical FinFETs Investigated by Electro-Optical Measurements.
Autorzy :
Fabris, Elena
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Li, Wenshen
Nomoto, Kazuki
Hu, Zongyang
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
MONOCHROMATIC light
THRESHOLD energy
THRESHOLD voltage
CONDUCTION bands
ELECTRIC potential measurement
PULSE measurement
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2020, Vol. 67 Issue 10, p3954-3959, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Impact of Residual Carbon on Avalanche Voltage and Stability of Polarization-Induced Vertical GaN p-n Junction.
Autorzy :
Fabris, Elena
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Mukherjee, Kalparupa
Nomoto, Kazuki
Hu, Zongyang
Li, Wenshen
Gao, Xiang
Marchand, Hugues
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
BREAKDOWN voltage
AVALANCHES
AVALANCHE diodes
MASS spectrometry
CARBON
ELECTRIC fields
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2020, Vol. 67 Issue 10, p3978-3982, 5p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
On-Wafer Fast Evaluation of Failure Mechanism of 0.25-μm AlGaN/GaN HEMTs: Evidence of Sidewall Indiffusion.
Autorzy :
Rzin, Mehdi
Meneghini, Matteo
Rampazzo, Fabiana
Zhan, Veronica Gao
Marcon, Daniele
Grunenputt, Jan
Jung, Helmut
Lambert, Benoit
Riepe, Klaus
Blanck, Herve
Graff, Andreas
Altmann, Frank
Simon-Najasek, Michel
Poppitz, David
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
PLASMA-enhanced chemical vapor deposition
THRESHOLD voltage
FAILURE analysis
WIDE gap semiconductors
ALUMINUM gallium nitride
HIGH temperatures
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2020, Vol. 67 Issue 7, p2765-2770, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Observation of ID-VD Kink in N-Polar GaN MIS-HEMTs at Cryogenic Temperatures.
Autorzy :
Bisi, Davide
Meneghesso, Gaudenzio
Mishra, Umesh K.
Zanoni, Enrico
Wienecke, Steven
Romanczyk, Brian
Li, Haoran
Ahmadi, Elaheh
Keller, Stacia
Guidry, Matthew
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
IMPACT ionization
THRESHOLD voltage
TEMPERATURE
ELECTRON impact ionization
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Mar2020, Vol. 41 Issue 3, p345-348, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Breakdown Walkout in Polarization-Doped Vertical GaN Diodes.
Autorzy :
Fabris, Elena
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
De Santi, Carlo
Caria, Alessandro
Nomoto, Kazuki
Hu, Zongyang
Li, Wenshen
Gao, Xiang
Jena, Debdeep
Xing, Huili Grace
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM gallium nitride
AVALANCHE photodiodes
DIODES
DEEP level transient spectroscopy
STRIKES & lockouts
BREAKDOWN voltage
OPTICAL spectroscopy
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Nov2019, Vol. 66 Issue 11, p4597-4603, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
High-Current Stress of UV-B (In)AlGaN-Based LEDs: Defect-Generation and Diffusion Processes.
Autorzy :
Monti, Desiree
De Santi, Carlo
Da Ruos, Silvia
Piva, Francesco
Glaab, Johannes
Rass, Jens
Einfeldt, Sven
Mehnke, Frank
Enslin, Johannes
Wernicke, Tim
Kneissl, Michael
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
DIFFUSION processes
OPTICAL measurements
QUANTUM wells
PSYCHOLOGICAL stress
TIME pressure
CARRIER density
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Aug2019, Vol. 66 Issue 8, p3387-3392, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Demonstration of UV-Induced Threshold Voltage Instabilities in Vertical GaN Nanowire Array-Based Transistors.
Autorzy :
Ruzzarin, Maria
Meneghini, Matteo
de Santi, Carlo
Neviani, Andrea
Yu, Feng
Strempel, Klaas
Fatahilah, Muhammad Fahlesa
Witzigmann, Bernd
Wasisto, Hutomo Suryo
Waag, Andreas
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
THRESHOLD voltage
GALLIUM nitride
TRANSISTORS
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTRON traps
METALLIC oxides
CHARGE exchange
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; May2019, Vol. 66 Issue 5, p2119-2124, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Gate Reliability of p-GaN Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors.
Autorzy :
Ge, Mei
Ruzzarin, Maria
Chen, Dunjun
Lu, Hai
Yu, Xinxin
Zhou, Jianjun
De Santi, Carlo
Zhang, Rong
Zheng, Youdou
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
ALUMINUM gallium nitride
LOGIC circuits
ELECTROLUMINESCENCE
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Mar2019, Vol. 40 Issue 3, p379-382, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Hot-Electron Trapping and Hole-Induced Detrapping in GaN-Based GITs and HD-GITs.
Autorzy :
Fabris, Elena
Meneghini, Matteo
De Santi, Carlo
Borga, Matteo
Kinoshita, Yusuke
Tanaka, Kenichiro
Ishida, Hidetoshi
Ueda, Tetsuzo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
HOT carriers
TRAPPING
ELECTRIC fields
ELECTROLUMINESCENCE
GALLIUM nitride
GEOLOGICAL carbon sequestration
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jan2019, Vol. 66 Issue 1, p337-342, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Gate Conduction Mechanisms and Lifetime Modeling of p-Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors.
Autorzy :
Stockman, Arno
Masin, Fabrizio
Meneghini, Matteo
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Bakeroot, Benoit
Moens, Peter
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
POOLE-Frenkel effect
SUPERCONDUCTIVE tunnelling
SCHOTTKY effect
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2018, Vol. 65 Issue 12, p5365-5372, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Impact of Substrate Resistivity on the Vertical Leakage, Breakdown, and Trapping in GaN-on-Si E-Mode HEMTs.
Autorzy :
Borga, Matteo
Meneghini, Matteo
Stoffels, Steve
Li, Xiangdong
Posthuma, Niels
Van Hove, Marleen
Decoutere, Stefaan
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
SILICON compounds
ELECTRIC potential measurement
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2018, Vol. 65 Issue 7, p2765-2770, 6p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies