Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs.
Autorzy :
Modolo, Nicola
De Santi, Carlo
Minetto, Andrea
Sayadi, Luca
Sicre, Sebastien
Prechtl, Gerhard
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
RATE equation model
HOT carriers
ELECTRON traps
TRANSISTORS
WIDE gap semiconductors
CRITICAL currents
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; May2021, Vol. 42 Issue 5, p673-676, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
“Hole Redistribution” Model Explaining the Thermally Activated RON Stress/Recovery Transients in Carbon-Doped AlGaN/GaN Power MIS-HEMTs.
Autorzy :
Zagni, Nicolo
Chini, Alessandro
Puglisi, Francesco Maria
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pavan, Paolo
Verzellesi, Giovanni
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
DOPING agents (Chemistry)
ALUMINUM gallium nitride
VALENCE bands
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2021, Vol. 68 Issue 2, p697-703, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
On-Wafer Fast Evaluation of Failure Mechanism of 0.25-μm AlGaN/GaN HEMTs: Evidence of Sidewall Indiffusion.
Autorzy :
Rzin, Mehdi
Meneghini, Matteo
Rampazzo, Fabiana
Zhan, Veronica Gao
Marcon, Daniele
Grunenputt, Jan
Jung, Helmut
Lambert, Benoit
Riepe, Klaus
Blanck, Herve
Graff, Andreas
Altmann, Frank
Simon-Najasek, Michel
Poppitz, David
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
PLASMA-enhanced chemical vapor deposition
THRESHOLD voltage
FAILURE analysis
WIDE gap semiconductors
ALUMINUM gallium nitride
HIGH temperatures
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2020, Vol. 67 Issue 7, p2765-2770, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Observation of ID-VD Kink in N-Polar GaN MIS-HEMTs at Cryogenic Temperatures.
Autorzy :
Bisi, Davide
Meneghesso, Gaudenzio
Mishra, Umesh K.
Zanoni, Enrico
Wienecke, Steven
Romanczyk, Brian
Li, Haoran
Ahmadi, Elaheh
Keller, Stacia
Guidry, Matthew
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
IMPACT ionization
THRESHOLD voltage
TEMPERATURE
ELECTRON impact ionization
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Mar2020, Vol. 41 Issue 3, p345-348, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
The 2018 GaN power electronics roadmap
Autorzy :
Borga, Matteo
Bouchet, T
Chalker, Paul R
Charles, M
Chen, Kevin J
Chu, Rongming
De Santi, Carlo
De Souza, Maria Merlyne
Decoutere, Stefaan
Di Cioccio, L
Egawa, Takashi
Fay, P
Freedsman, Joseph J
Häberlen, Oliver
Hua, Mengyuan
Huang, Qingyun
Huang, Alex
Kuball, Martin
Lee, Kean Boon
Marcon, Denis
McCarthy, R
Meneghesso, Gaudenzio
Meneghini, Matteo
Morvan, E
Nakajima, A
Narayanan, E M S
Reddy, R
Sun, Min
Trivellin, Nicola
Uren, Michael J
Van Hove, Marleen
Wallis, David J
Wang, J
Xie, J
Yang, Shu
Youtsey, C
Yu, Ruiyang
Zanoni, Enrico
Amano, H
Baines, Y
Beam, E
Chowdhury, Nadim
Eckardt, Bernd
Guido, L
Haynes, Geoff
Heckel, Thomas
Hemakumara, Dilini
Houston, Peter
Hu, Jie
Jiang, Sheng
Kawai, H
Kinzer, Dan
Kumar, Ashwani
Li, Xu
März, Martin
Oliver, Stephen
Palacios, Tomás
Piedra, Daniel
Plissonnier, M
Thayne, Iain
Torres, A
Unni, V
Yagi, S
Zeltner, Stefan
Zhang, Yuhao
Pokaż więcej
Temat :
CDTR
GaN
power circuits
GaN-on-Si
Źródło :
Amano, H, Baines, Y, Beam, E, Borga, M, Bouchet, T, Chalker, P R, Charles, M, Chowdhury, N, Chu, R, De Santi, C, De Souza, M M, Decoutere, S, Di Cioccio, L, Eckardt, B, Egawa, T, Freedsman, J J, Guido, L, Häberlen, O, Haynes, G, Heckel, T, Hemakumara, D, Houston, P, Hu, J, Hua, M, Huang, Q, Huang, A, Jiang, S, Kawai, H, Kinzer, D, Kuball, M, Kumar, A, Lee, K B, Li, X, Marcon, D, März, M, McCarthy, R, Meneghesso, G, Meneghini, M, Morvan, E, Nakajima, A, Narayanan, E M S, Oliver, S, Palacios, T, Piedra, D, Plissonnier, M, Reddy, R, Sun, M, Thayne, I, Torres, A, Trivellin, N, Unni, V, Uren, M J, Van Hove, M, Wallis, D J, Xie, J, Yagi, S, Yang, S, Youtsey, C, Yu, R, Zanoni, E, Zeltner, S & Zhang, Y 2018, ' The 2018 GaN power electronics roadmap ', Journal of Physics D: Applied Physics, vol. 51, no. 16, 163001 . https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaaf9d
Opis pliku :
application/pdf

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies